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1. WO2005031029 - 薄膜の形成方法および基板保持装置

公開番号 WO/2005/031029
公開日 07.04.2005
国際出願番号 PCT/JP2004/012799
国際出願日 27.08.2004
IPC
C23C 14/50 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
50基板保持具
CPC
C23C 14/50
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
50Substrate holders
出願人
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 藤野 剛三 FUJINO, Koso [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 大松 一也 OHMATSU, Kazuya [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 小西 昌也 KONISHI, Masaya [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 母倉 修司 HAHAKURA, Shuji [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 藤野 剛三 FUJINO, Koso
  • 大松 一也 OHMATSU, Kazuya
  • 小西 昌也 KONISHI, Masaya
  • 母倉 修司 HAHAKURA, Shuji
代理人
  • 中野 稔 NAKANO, Minoru
優先権情報
2003-33583526.09.2003JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR FORMING THIN FILM AND SUBSTRATE-HOLDING DEVICE
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE FILM MINCE ET DISPOSITIF PORTE-SUBSTRAT
(JA) 薄膜の形成方法および基板保持装置
要約
(EN)
Disclosed is a substrate-holding device for heating and holding a substrate which comprises a heater for heating the substrate, a susceptor arranged between the substrate and the heater, and a spacer for holding the substrate at a certain distance from the susceptor. Also disclosed is a method for forming a thin film on one major surface of a substrate which comprises a step for holding the substrate at a certain distance from a susceptor, and a step for forming a thin film on one major surface of the substrate while heating the substrate via the susceptor. With this method, the substrate can be heated uniformly and damages to the substrate surface can be suppressed.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif porte-substrat permettant de chauffer et tenir un substrat. Ce dispositif est constitué d'un réchaud pour chauffer le substrat, d'un suscepteur placé entre le substrat et le réchaud, et d'une cale permettant de retenir le substrat à une certaine distance du suscepteur. L'invention concerne également un procédé de formation d'un film mince sur une surface principale d'un substrat. Ce procédé comprend une opération pour retenir le substrat à une certaine distance d'un suscepteur, et une opération pour former un film mince sur une surface principale du substrat, tout en chauffant le substrat au travers du suscepteur. Ce procédé permet de chauffer le substrat de façon uniforme tout en évitant d'endommager la surface du substrat.
(JA)
基板を加熱するための発熱体と、基板と発熱体との間に配置されるサセプタと、サセプタと一定の間隔をおいて基板を保持するためのスペーサとを備える、基板を加熱して保持するための基板保持装置を提供するとともに、基板の一方の主表面上に薄膜を形成する薄膜の形成方法であって、サセプタと一定の間隔をおいて基板を保持する工程と、サセプタを介して基板を加熱した状態で、基板の一方の主表面上に薄膜を形成する成膜工程とを備えることにより、基板を均一に加熱することができ、かつ基板の表面の損傷を抑止することができる薄膜形成方法を提供する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報