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1. WO2005019234 - 希土類金属錯体、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法

公開番号 WO/2005/019234
公開日 03.03.2005
国際出願番号 PCT/JP2004/011043
国際出願日 02.08.2004
IPC
C07F 17/00 2006.01
C化学;冶金
07有機化学
F炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
17メタロセン
C23C 16/18 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
06金属質材料の析出に特徴のあるもの
18金属有機質化合物からのもの
CPC
C07F 17/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
17Metallocenes
C23C 16/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
06characterised by the deposition of metallic material
18from metallo-organic compounds
出願人
  • 旭電化工業株式会社 ASAHI DENKA Co., Ltd. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 芳仲 篤也 YOSHINAKA, Atsuya [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 佐藤 宏樹 SATO, Hiroki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 藤本 竜作 FUJIMOTO, Ryusaku [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 芳仲 篤也 YOSHINAKA, Atsuya
  • 佐藤 宏樹 SATO, Hiroki
  • 藤本 竜作 FUJIMOTO, Ryusaku
代理人
  • 羽鳥 修 HATORI, Osamu
優先権情報
2003-29973625.08.2003JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RARE EARTH METAL COMPLEX, MATERIAL FOR THIN-FILM FORMATION, AND PROCESS FOR PRODUCING THIN FILM
(FR) COMPLEXE DE METAUX DES TERRES RARES, MATERIAU DE FORMATION DE COUCHE MINCE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHE MINCE
(JA) 希土類金属錯体、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
要約
(EN)
A rare earth metal complex which is a tris-s-butylcyclopentadienyl/rare earth metal complex represented by the following general formula (I). It is a liquid rare earth metal complex excellent in heat resistance and volatility and suitable for use as a material for thin-film formation. (In the formula, M represents a rare earth metal.)
(FR)
Cette invention concerne un complexe de métaux des terres rares qui est un complexe composé de tris-s-butylcyclopentadiényl et de métaux des terres rares représenté par la formule générale (I). Ce complexe est un complexe liquide de métaux des terres rares présentant d'excellentes propriétés de résistance à la chaleur et de volatilité et pouvant être utilisé comme matériau de formation de couche mince. (Dans cette formule, M désigne un métal des terres rares).
(JA)
not available
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