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1. WO2005017621 - 位相シフトマスクの製造方法

公開番号 WO/2005/017621
公開日 24.02.2005
国際出願番号 PCT/JP2004/011712
国際出願日 09.08.2004
IPC
G03F 1/29 2012.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
26位相シフトマスク;PSMブランク;その準備
29リムPSM又はアウトリガーPSM;その準備
G03F 1/68 2012.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
68グループG03F1/20からG03F1/50に包含されない準備プロセス
G03F 7/40 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
40画像様除去後の処理,例.加熱
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
G03F 1/26
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
G03F 1/29
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
29Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
G03F 1/30
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
30Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
G03F 1/36
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
H01L 21/0274
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
0271comprising organic layers
0273characterised by the treatment of photoresist layers
0274Photolithographic processes
出願人
  • HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 須田 秀喜 SUDA, Hideki [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 須田 秀喜 SUDA, Hideki
代理人
  • 後藤 洋介 GOTO, Yosuke
優先権情報
2003-29383515.08.2003JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD OF PRODUCING PHASE SHIFT MASKS
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE MASQUES A DEPHASAGE
(JA) 位相シフトマスクの製造方法
要約
(EN)
In a first step, an etching mask layer (3a) and a light-shielding film (2) are etched to form an etching mask layer (3a) consisting of a main opening (5) and auxiliary openings (6), and a light-shielding film pattern (2a). Then, in a second step, impression etching of a transparent substrate (formation of a substrate impressed section (8)) is effected, and in a final third step, the etching mask layer (3a) is removed. Thereby, since the main and auxiliary openings can be simultaneously exposed to light in the first step, the accuracy of positioning of them is improved. Further, the etching mask layer (3a), which is damaged in the second step, is removed in the third step. That is, the etching mask layer (3a) can protect the light-shielding film pattern (2a), thus preventing the light-shielding film pattern (2a) from being damaged.
(FR)
Selon l'invention, au cours d'une première étape, une couche masque de gravure (3a) et un film de protection contre la lumière (2) sont gravés de sorte à former une couche masque de gravure (3a) constituée d'une ouverture principale (5) et d'ouvertures auxiliaires (6), ainsi qu'un motif de film de protection contre la lumière (2a). Puis, au cours d'une deuxième étape, une gravure d'impression est réalisée sur un substrat transparent (formation d'une partie imprimée de substrat (8)). Enfin, au cours d'une troisième et dernière étape, la couche masque de gravure (3a) est retirée. La présente invention permet donc d'améliorer la précision de positionnement des ouvertures principale et auxiliaires par l'exposition simultanée de ces ouvertures à la lumière, pendant la première étape. De plus, la couche masque de gravure (3a), endommagée pendant la deuxième étape, est retirée au cours de la troisième étape, ladite couche (3a) protégeant ainsi le motif de film de protection contre la lumière (2a), ce qui empêche qu'il soit endommagé.
(JA)
not available
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