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1. WO2005017230 - チタン含有層用エッチング液およびチタン含有層のエッチング方法

公開番号 WO/2005/017230
公開日 24.02.2005
国際出願番号 PCT/JP2004/011336
国際出願日 06.08.2004
IPC
H01L 21/3213 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
321後処理
3213層の物理的または化学的エッチング,例.プレデポジションした広い層からパターニング層を生ずるため
CPC
C03C 17/2456
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
17Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
22with other inorganic material
23Oxides
245by deposition from the vapour phase
2456Coating containing TiO2
C03C 17/256
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
17Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
22with other inorganic material
23Oxides
25by deposition from the liquid phase
256Coating containing TiO2
C03C 2217/212
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
2217Coatings on glass
20Materials for coating a single layer on glass
21Oxides
212TiO2
C03C 2218/33
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
2218Methods for coating glass
30Aspects of methods for coating glass not covered above
32After-treatment
328Partly or completely removing a coating
33by etching
C09K 13/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
13Etching, surface-brightening or pickling compositions
04containing an inorganic acid
08containing a fluorine compound
C23F 1/26
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE
1Etching metallic material by chemical means
10Etching compositions
14Aqueous compositions
16Acidic compositions
26for etching refractory metals
出願人
  • 三菱化学株式会社 MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 石川 誠 ISHIKAWA, Makoto [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 河瀬 康弘 KAWASE, Yasuhiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 斉藤 範之 SAITOU, Noriyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 石川 誠 ISHIKAWA, Makoto
  • 河瀬 康弘 KAWASE, Yasuhiro
  • 斉藤 範之 SAITOU, Noriyuki
代理人
  • 岡田 数彦 OKADA, Kazuhiko
優先権情報
2003-29538019.08.2003JP
2003-41520512.12.2003JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ETCHING SOLUTION FOR TITANIUM-CONTAINING LAYER AND METHOD FOR ETCHING TITANIUM-CONTAINING LAYER
(FR) PROCEDE ET SOLUTION D'ATTAQUE CHIMIQUE POUR COUCHE CONTENANT DU TITANE
(JA) チタン含有層用エッチング液およびチタン含有層のエッチング方法
要約
(EN)
A titanium-containing layer which is formed on a silicon substrate or a silicate glass substrate and mainly contains one or more substances selected from the group consisting of titanium, titanium oxides, titanium nitrides and titanium oxynitrides is selectively etched at a high etching rate without eroding the substrate. Disclosed is an etching solution for etching a titanium-containing layer which is formed on a silicon substrate or a silicate glass substrate and mainly contains one or more substances selected from the group consisting of titanium, titanium oxides, titanium nitrides and titanium oxynitrides. This etching solution contains a silicofluoric acid. Also disclosed is a method for etching a titanium-containing layer formed on a silicon substrate or a silicate glass substrate using such an etching solution. The silicofluoric acid is a substance produced through a reaction between a hydrofluoric acid and silicon or a silicon oxide. While the silicofluoric acid is inactive against silicon or silicate glasses, it exhibits sufficient etching performance for titanium, titanium oxides, titanium nitrides and titanium oxynitrides. Consequently, the etching solution shows sufficient selectivity in etching of a titanium-containing layer formed on a silicon substrate or a silicate glass substrate.
(FR)
L'invention porte sur une couche contenant du titane formée sur un substrat de silicium ou sur un substrat de verre de silicate, cette couche contenant principalement une ou plusieurs substances sélectionnées dans le groupe comprenant du titane, des oxydes de titane, des nitrures de titane et des oxynitrures de titane. Cette couche contenant du titane est attaquée chimiquement de manière sélective à vitesse élevée sans éroder le substrat. L'invention porte également sur une solution permettant d'attaquer chimiquement une couche contenant du titane formée sur un substrat de silicium ou sur un substrat de verre de silicate et contenant principalement une ou plusieurs substances sélectionnées dans le groupe contenant du titane, des oxydes de titane, des nitrures de titane et des oxynitrures de titane. Cette solution d'attaque chimique contient un acide fluorosilicique. L'invention porte notamment sur un procédé d'attaque chimique d'une couche contenant du titane formée sur un substrat de silicium ou sur un substrat de verre de silicate, ce procédé utilisant la solution d'attaque chimique. L'acide fluorosilicique est une substance produite par une réaction entre un acide fluorhydrique et un silicium ou un oxyde de silicium. Lorsque l'acide fluorosilicique n'agit pas sur le silicium ou des verres de silicate, il présente par contre une performance d'attaque chimique suffisante pour le titane, les oxydes de titane, le nitrure de titane et les oxynitrures de titane. En conséquence, la solution d'attaque chimique est suffisamment sélective pour attaquer chimiquement une couche contenant du titane formée sur un substrat de silicium ou sur un substrat de verre de silicate.
(JA)
 シリコン基板または珪酸系ガラス基板上に形成された、チタン、チタン酸化物、チタン窒化物およびチタン酸窒化物よりなる群から選ばれる1種または2種以上を主成分とするチタン含有層を、速いエッチング速度で、しかも、基板を侵すことなく選択的にエッチングする。  シリコン基板または珪酸系ガラス基板上に形成された、チタン、チタン酸化物、チタン窒化物およびチタン酸窒化物よりなる群から選ばれる1種または2種以上を主成分とするチタン含有層をエッチングするためのエッチング液であって、珪フッ化水素酸を含有するチタン含有層用エッチング液。このエッチング液を用いて、シリコン基板または珪酸系ガラス基板上のチタン含有層をエッチングするエッチング方法。珪フッ化水素酸はフッ酸と珪素または酸化珪素との反応で生成する物質であって、シリコン又は珪酸系ガラスに対しては不活性であるが、チタン、チタン酸化物、チタン窒化物またはチタン酸窒化物に対しては十分なエッチング性能を持ち、シリコン基板または珪酸系ガラス基板上のチタン含有層のエッチングに関して、十分な選択性を有する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報