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1. WO2005016982 - レジスト用樹脂、ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

公開番号 WO/2005/016982
公開日 24.02.2005
国際出願番号 PCT/JP2004/011735
国際出願日 10.08.2004
IPC
C08F 220/18 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
220ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちのただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物.その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの共重合体
029個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10エステル
12一価のアルコールまたはフェノールのエステル
16フェノールまたは2個以上の炭素原子をもつアルコールのエステル
18アクリル酸またはメタクリル酸との
G03F 7/039 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
039光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
H01L 21/30 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
CPC
C08F 220/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
220Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
10Esters
12of monohydric alcohols or phenols
16of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
18with acrylic or methacrylic acids
C08F 220/28
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
220Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
10Esters
26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
28containing no aromatic rings in the alcohol moiety
G03F 7/0397
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
0392the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
0397the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
出願人
  • 東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 林 亮太郎 HAYASHI, Ryotaro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 羽田 英夫 HADA, Hideo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 岩井 武 IWAI, Takeshi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 林 亮太郎 HAYASHI, Ryotaro
  • 羽田 英夫 HADA, Hideo
  • 岩井 武 IWAI, Takeshi
代理人
  • 棚井 澄雄 TANAI, Sumio
優先権情報
2003-29300013.08.2003JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RESIN FOR RESIST, POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN
(FR) RESINE POUR RESERVE, COMPOSITION DE RESERVE POSITIVE ET PROCEDE DE FORMATION DE MOTIF DE RESERVE
(JA) レジスト用樹脂、ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
要約
(EN)
A positive resist composition which has excellent resolution and a wide focal-depth range; a resin for resists which is for use in the positive resist composition; and a method of forming a resist pattern from the positive resist composition. The resin for resists comprises, as main components, structural units (a) derived from an &agr;-(lower alkyl)acrylic ester. The structural units (a) comprise: structural units (a1) derived from an &agr;-(lower alkyl)acrylic ester having an acid-dissociable dissolution-inhibitive group; and lactone-containing monocyclic groups. The structural units (a1) comprise structural units represented by the following general formula (a1-1) [wherein R is hydrogen or lower alkyl; and R11 is an acid-dissociable dissolution-inhibitive group which contains a monocyclic aliphatic hydrocarbon group and contains no polycyclic aliphatic hydrocarbon groups].
(FR)
L'invention concerne une composition de réserve positive présentant une excellente résolution et une large gamme de profondeur focale. L'invention concerne également une résine pour réserves, destinée à être utilisée dans une composition de réserve positive. L'invention concerne encore un procédé de formation d'un modèle de réserve à partir de cette composition de réserve positive. La résine pour réserves selon l'invention contient comme composants principaux des unités structurelles (a) issues d'un ester $g(a)-(alkyle inférieur) acrylique. Ces unités structurelles (a) comprennent : des unités structurelles (a1) issues d'un ester $g(a)-(alkyle inférieur) acrylique contenant un groupe inhibiteur de dissolution, dissociable par un acide ; et des groupes monocycliques contenant des lactones. Ces unités structurelles (a1) comprennent des unités structurelles représentées par la formule générale (a1-1) [dans laquelle R représente hydrogène ou alkyle inférieur ; et R11 représente un groupe inhibiteur de dissolution, dissociable par un acide, qui contient un groupe hydrocarboné aliphatique monocyclique et pas de groupes hydrocarbonés aliphatiques polycycliques].
(JA)
優れた解像性及び焦点深度幅を有するポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物に用いられるレジスト用樹脂、該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法が提供される。上記レジスト用樹脂は、(α-低級アルキル)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a)を主成分とし、この構成単位(a)は、酸解離性溶解抑制基を含有する(α-低級アルキル)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)、及びラクトン含有単環式基を含有し、この構成単位(a1)は、下記一般式(a1-1)[式中、Rは水素原子又は低級アルキル基、R11は、単環式の脂肪族炭化水素基を含有し、かつ多環式の脂肪族炭化水素基を含有しない酸解離性溶解抑制基]で表される構成単位を有する。(a1-1)
国際事務局に記録されている最新の書誌情報