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1. WO2005015642 - 半導体装置及びその製造方法

公開番号 WO/2005/015642
公開日 17.02.2005
国際出願番号 PCT/JP2004/011058
国際出願日 02.08.2004
IPC
H01L 29/20 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
02半導体本体
12構成材料に特徴のあるもの
20ドーピング材料または他の不純物は別にして,A↓I↓I↓IB↓V化合物のみを含むもの
H01L 29/778 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
778二次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの,例.HEMT
CPC
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02458
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02455Group 13/15 materials
02458Nitrides
H01L 21/02507
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02496Layer structure
02505consisting of more than two layers
02507Alternating layers, e.g. superlattice
H01L 21/0254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
0254Nitrides
H01L 21/02576
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
0257Doping during depositing
02573Conductivity type
02576N-type
H01L 21/02579
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
0257Doping during depositing
02573Conductivity type
02579P-type
出願人
  • サンケン電気株式会社 SANKEN ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 大塚康二 OTSUKA, Koji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 千野恵美子 CHINO, Emiko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 柳原将貴 YANAGIHARA, Masataka [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 大塚康二 OTSUKA, Koji
  • 千野恵美子 CHINO, Emiko
  • 柳原将貴 YANAGIHARA, Masataka
代理人
  • 高野則次 TAKANO, Noritsugu
優先権情報
2003-28998308.08.2003JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約
(EN)
On a substrate (1) made of silicon, there is provided a buffer region (2) consisting of a plurality of first layers (8) made of AlN and second layers made of GaN (9) which are alternately laminated. The buffer region (2) has a first layer (8) functioning as an n-type semiconductor. The buffer region (2) has a second layer (9) into which p-type impurities are introduced. Between the first layer (8) and the second layer (9) of the buffer region (2), a pn junction is generated. On the buffer region (2), a gallium nitride-based semiconductor region (3) is formed for an HEMT element. A pn junction is generated between the second layer (9) functioning as a p-type semiconductor of the buffer region (2) and the semiconductor region (3) functioning as an n-type semiconductor. The pn junction contributes to reduction of the leak current of the HEMT.
(FR)
Une zone tampon (2) constituée de plusieurs premières couches (8) fabriquées à partir de AlN et de secondes couches fabriquées de GaN (9) lesquelles sont alternativement stratifiées est placé sur un substrat (1) en silicium. La zone tampon (2) comprend une première couche (8) fonctionnant en tant que semi-conducteur de type n. La zone tampon (2) comporte une seconde couche (9) au niveau de laquelle des impuretés de type p sont introduites. Entre la première (8) et la seconde couche (9) de la zone tampon (2), une jonction pn étant produite. Une zone à semi-conducteur basée sur du nitrure de gallium (3) est formée sur la zone tampon (2) pour un élément HEMT. Une jonction pn est produite entre la seconde couche (9) fonctionnant en tant que semi-conducteur de type p de la zone tampon (2), la zone à semi-conducteur (3) fonctionnant, elle, en tant que semi-conducteur de type n. Cette jonction contribue à la réduction de fuite de courant du HEMT.
(JA)
シリコンから成る基板(1)の上にAlNから成る第1の層(8)とGaNから成る第2の層(9)とを交互に複数積層した構造のバッファ領域(2)が設けられている。バッファ領域(2)の第1の層(8)はn型半導体としての機能をする。バッファ領域(2)の第2の層(9)にp型不純物が導入されている。バッファ領域(2)の第1の層(8)と第2の層(9)との間にpn接合が生じている。バッファ領域(2)の上にHEMT素子用の窒化ガリウム系半導体領域3が形成されている。バッファ領域(2)p型半導体として機能する第2の層(9)とn型半導体として機能する半導体領域3との間にpn接合が生じる。pn接合はHEMTのリーク電流の低減に寄与する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報