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1. WO2005010974 - 電界効果トランジスタ及びその製造方法

公開番号 WO/2005/010974
公開日 03.02.2005
国際出願番号 PCT/JP2004/010696
国際出願日 28.07.2004
予備審査請求日 22.03.2005
IPC
H01L 21/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
H01L 29/24 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
02半導体本体
12構成材料に特徴のあるもの
24ドーピング材料または他の不純物は別にして,H01L29/16,H01L29/18,H01L29/20またはH01L29/22に分類されない無機半導体材料のみを含むもの
H01L 29/51 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
40電極
43構成材料に特徴のあるもの
49金属-絶縁半導体電極
51それと結合する絶縁材料
H01L 29/78 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
CPC
H01L 21/049
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
0445the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
048Making electrodes
049Conductor-insulator-semiconductor electrodes, e.g. MIS contacts
H01L 21/28158
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
28008Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
28017the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
28158Making the insulator
H01L 29/1608
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
16including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
1608Silicon carbide
H01L 29/2003
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
20including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
2003Nitride compounds
H01L 29/267
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
26including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22, H01L29/24 ; , e.g. alloys
267in different semiconductor regions ; , e.g. heterojunctions
H01L 29/511
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
43characterised by the materials of which they are formed
49Metal-insulator-semiconductor electrodes, ; e.g. gates of MOSFET
51Insulating materials associated therewith
511with a compositional variation, e.g. multilayer structures
出願人
  • 独立行政法人科学技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 須田淳 SUDA, Jun [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 松波弘之 MATSUNAMI, Hiroyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 須田淳 SUDA, Jun
  • 松波弘之 MATSUNAMI, Hiroyuki
代理人
  • 平木 祐輔 HIRAKI, Yusuke
優先権情報
2003-28110428.07.2003JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 電界効果トランジスタ及びその製造方法
要約
(EN)
Disclosed is a field effect transistor comprising an SiC substrate (1), a source (3a) and a drain (3b) formed in the surface of the SiC substrate (1), an insulating structure including an AlN layer (5) which is formed in contact with the SiC surface and has a thickness not less than a single-molecule layer and an SiO2 layer formed on the AlN layer, and a gate electrode (15) formed on the insulating structure. In such a field effect transistor, it is possible to suppress leakage current, while forming a good interface with the Sic surface.
(FR)
Cette invention concerne un transistor à effet de champ comprenant un substrat SiC (1), une source (3a) et un drain (3b) formés dans la surface du substrat SiC (1), une structure isolante comprenant une couche AlN (5) qui est en contact avec la surface SiC dont l'épaisseur n'est pas inférieure à une couche monomoléculaire et une couche de SiO2 formée sur la couche d'AlN, et une électrode de grille (15) formée sur la structure isolante. Dans un tel transistor à effet d champ, il est possible de supprimer le courant de fuite tout en obtenant une bonne interface avec le substrat SiC.
(JA)
SiC基板1と、SiC基板1表面に形成されたソース3a及びドレイン3bと、SiC表面に接して形成され厚さが1分子層以上のAlN層5と、その上に形成されたSiO層とを有する絶縁構造と、この絶縁構造上に形成されたゲート電極15とを有しており、SiCとの間の界面状態を良好に保ちつつ、リーク電流を抑制することができる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報