(EN) A photodiode array (1) is provided with an n-type silicon substrate (3). A plurality of photodiodes (4) are formed in an array form on the surface opposite to the surface, onto which a light (L) to be detected enters, of the n-type silicon substrate (3). Recesses (6), each having a specified depth recessed below an area that does not correspond to a photodiode (4)-formed area, are formed in an area corresponding to the photodiode (4)-formed area on the light (L)-incident surface of the substrate (3).
(FR) L'invention porte sur un réseau de photodiodes (1) à substrat (3) de silicium de type n comportant des photodiodes (4) disposées en réseau sur la surface du substrat (3) opposée à la surface d'incidence de la lumière à détecter. Des évidements (6) présentant chacun une profondeur spécifique sont formés dans une zone correspondant à celle des photodiodes (4), mais du côté de la surface d'incidence de la lumière à détecter du substrat.
(JA) ホトダイオードアレイ1は、n型シリコン基板3を備える。n型シリコン基板3における被検出光Lの入射面の反対面側に、複数のホトダイオード4がアレイ状に形成されている。n型シリコン基板3の被検出光Lの入射面側におけるホトダイオード4が形成された領域に対応する領域に、ホトダイオード4が形成された領域に対応しない領域よりも窪んだ所定の深さを有する窪み部6が形成されている。