(EN) A plasma processing apparatus is disclosed which comprises a stage (3) on which an object to be processed (4) is placed, a vessel (1) housing this stage, a conductive plate (24) arranged opposite to the stage, an antenna element (27) formed on the conductive plate, waveguide members (22, 23) which constitute, together with the conductive plate, a waveguide (21) for guiding a high-frequency electric field that is to be introduced into the vessel through the antenna element, and cooling means (12, 31-35) for cooling the conductive plate. Since the conductive plate is cooled using the cooling means, temperature change caused by heating in the conductive plate can be suppressed, thereby preventing changes in the antenna characteristics due to thermal deformation of the conductive plate. Consequently, the distribution of plasma (P) generated in the vessel is not affected by such changes in the antenna characteristics, and thus a uniform processing can be performed on the object placed in the vessel.
(FR) Cette invention concerne un appareil de traitement au plasma comprenant un étage (3) sur lequel un objet à traiter (4) est placé ; une enceinte (1) renfermant cet étage ; une plaque conductrice (24) placée à l'opposé de cet étage ; un élément d'antenne (27) formé sur la plaque conductrice ; des éléments de guide d'ondes (22, 23) constituant, avec la plaque conductrice, un guide d'onde (21) servant à guider un champ électrique haute fréquence devant être introduit dans l'enceinte par l'élément d'antenne ; et des unités de refroidissement (12, 31-35) servant à refroidir la plaque conductrice. Le refroidissement de la plaque conductrice par les unités de refroidissement permet de supprimer la variation de température provoquée par le chauffage dans la plaque conductrice, ce qui prévient les modifications de caractéristiques de l'antenne causées par la déformation thermique de la plaque conductrice. La répartition du plasma (P) généré dans l'enceinte n'est donc pas affectée par ces modifications de caractéristiques de l'antenne, et un traitement uniforme peut ainsi être réalisé sur l'objet placé dans l'enceinte.
(JA) 被処理体（４）が載置される載置台（３）と、この載置台を収容する容器（１）と、載置台に対向して配置された導体板（２４）と、この導体板に形成されたアンテナ素子（２７）と、このアンテナ素子を介して容器に供給される高周波電磁界を導く導波路（２１）を導体板とともに構成する導波部材（２２，２３）と、導体板を冷却する冷却手段（１２，３１～３５）とを備える。冷却手段を用いて導体板を冷却することにより、導体板の発熱による温度変化が抑制される。これにより、導体板が加熱により変形しアンテナ特性が変化することを防止できる。このため、アンテナ特性の変化の影響で容器内に生成されるプラズマ（Ｐ）の分布が変化することがなく、容器内に配置された被処理体に対し均一な処理を行うことができる。