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1. WO2004070813 - プラズマ処理装置および方法

公開番号 WO/2004/070813
公開日 19.08.2004
国際出願番号 PCT/JP2004/001135
国際出願日 04.02.2004
IPC
C23C 16/511 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
50放電を用いるもの
511マイクロ波放電を用いるもの
H01J 37/32 2006.01
H電気
01基本的電気素子
J電子管または放電ランプ
37放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
32ガス入り放電管
H01L 21/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
CPC
H01J 37/32192
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32192Microwave generated discharge
H01J 37/32724
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32715Workpiece holder
32724Temperature
H01L 21/67069
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67063for etching
67069for drying etching
H01L 21/67109
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67109mainly by convection
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 日本高周波株式会社 NIHON KOSHUHA CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 石井 信雄 ISHII, Nobuo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 篠原 己拔 SHINOHARA, Kibatsu [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 石井 信雄 ISHII, Nobuo
  • 篠原 己拔 SHINOHARA, Kibatsu
代理人
  • 山川 政樹 YAMAKAWA, Masaki
優先権情報
2003-03091407.02.2003JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置および方法
要約
(EN)
A plasma processing apparatus is disclosed which comprises a stage (3) on which an object to be processed (4) is placed, a vessel (1) housing this stage, a conductive plate (24) arranged opposite to the stage, an antenna element (27) formed on the conductive plate, waveguide members (22, 23) which constitute, together with the conductive plate, a waveguide (21) for guiding a high-frequency electric field that is to be introduced into the vessel through the antenna element, and cooling means (12, 31-35) for cooling the conductive plate. Since the conductive plate is cooled using the cooling means, temperature change caused by heating in the conductive plate can be suppressed, thereby preventing changes in the antenna characteristics due to thermal deformation of the conductive plate. Consequently, the distribution of plasma (P) generated in the vessel is not affected by such changes in the antenna characteristics, and thus a uniform processing can be performed on the object placed in the vessel.
(FR)
Cette invention concerne un appareil de traitement au plasma comprenant un étage (3) sur lequel un objet à traiter (4) est placé ; une enceinte (1) renfermant cet étage ; une plaque conductrice (24) placée à l'opposé de cet étage ; un élément d'antenne (27) formé sur la plaque conductrice ; des éléments de guide d'ondes (22, 23) constituant, avec la plaque conductrice, un guide d'onde (21) servant à guider un champ électrique haute fréquence devant être introduit dans l'enceinte par l'élément d'antenne ; et des unités de refroidissement (12, 31-35) servant à refroidir la plaque conductrice. Le refroidissement de la plaque conductrice par les unités de refroidissement permet de supprimer la variation de température provoquée par le chauffage dans la plaque conductrice, ce qui prévient les modifications de caractéristiques de l'antenne causées par la déformation thermique de la plaque conductrice. La répartition du plasma (P) généré dans l'enceinte n'est donc pas affectée par ces modifications de caractéristiques de l'antenne, et un traitement uniforme peut ainsi être réalisé sur l'objet placé dans l'enceinte.
(JA)
被処理体(4)が載置される載置台(3)と、この載置台を収容する容器(1)と、載置台に対向して配置された導体板(24)と、この導体板に形成されたアンテナ素子(27)と、このアンテナ素子を介して容器に供給される高周波電磁界を導く導波路(21)を導体板とともに構成する導波部材(22,23)と、導体板を冷却する冷却手段(12,31~35)とを備える。冷却手段を用いて導体板を冷却することにより、導体板の発熱による温度変化が抑制される。これにより、導体板が加熱により変形しアンテナ特性が変化することを防止できる。このため、アンテナ特性の変化の影響で容器内に生成されるプラズマ(P)の分布が変化することがなく、容器内に配置された被処理体に対し均一な処理を行うことができる。
他の公開
US2007113978
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