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1. (WO2004064192) 光電変換素子およびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/064192    国際出願番号:    PCT/JP2003/016731
国際公開日: 29.07.2004 国際出願日: 25.12.2003
IPC:
H01L 21/208 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/368 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01), H01M 14/00 (2006.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MOROOKA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUZUKI, Yusuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NODA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MOROOKA, Masahiro; (JP).
SUZUKI, Yusuke; (JP).
NODA, Kazuhiro; (JP)
代理人: MORI, Koh-ichi; 7th Floor, Ikebukuro Park Bldg., 49-7, Minami Ikebukuro 2-chome, Toshima-ku, Tokyo 171-0022 (JP)
優先権情報:
2003-1969 08.01.2003 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PROCESS FOR FABRICATING THE SAME, ELECTRONIC DEVICE AND PROCESS FOR FABRICATING THE SAME
(FR) ELEMENT DE CONVERSION PHOTOELECTRIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT, DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 光電変換素子およびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A photoelectric conversion element employing a semiconductor electrode composed of fine semiconductor particles, in which the semiconductor electrode is formed by coating a transparent conductive substrate with paste containing a binder and dispersed with fine semiconductor particles, drying the paste, and then pressing the paste while heating at a temperature between 30°C and the softening point of the transparent conductive substrate or between 30°C and the lower one of the softening point of the transparent conductive substrate and the deactivation point of sensitization dye when the fine semiconductor particles carry the sensitization dye, thereby pressure fixing the fine semiconductor particles onto the transparent conductive substrate.
(FR)Un élément de conversion photoélectrique utilise une électrode semi-conductrice composée de particules fines semi-conductrices, ladite électrode semi-conductrice est formée par l'application au substrat conducteur transparent d'un revêtement constitué d'une pâte contenant un liant et d'une dispersion de particules fines semi-conductrices, par le séchage de la pâte puis par le pressage de ladite pâte et sa compression accompagnée d'un réchauffage à une température comprise entre 30 °C et le point de ramollissement du substrat conducteur transparent ou entre 30 °C et la température la plus basse entre le point de ramollissement du substrat conducteur transparent et le point de désactivation du colorant de sensibilisation, les particules fines semi-conductrices transportant le colorant de sensibilisation, ce qui permet la fixation par pression des particules fines semi-conductrices au substrat conducteur transparent.
(JA)半導体微粒子からなる半導体電極を用いる光電変換素子において、結着剤を含む、半導体微粒子が分散されたペーストを透明導電性基板上に塗布し、ペーストを乾燥させた後、30℃以上、透明導電性基板の軟化温度以下の温度、または、半導体微粒子に増感色素を担持させる場合には30℃以上、透明導電性基板の軟化温度および増感色素の失活温度のうちの低い方の温度以下の温度に加熱しながらそのペーストをプレスすることにより半導体微粒子を透明導電性基板上に圧着して半導体電極を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)