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1. (WO2004063420) ニッケル合金スパッタリングターゲット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/063420    国際出願番号:    PCT/JP2003/012777
国際公開日: 29.07.2004 国際出願日: 06.10.2003
予備審査請求日:    04.03.2004    
IPC:
C23C 14/34 (2006.01)
出願人: NIKKO MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8407 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMAKOSHI, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMAKOSHI, Yasuhiro; (JP)
代理人: OGOSHI, Isamu; Ogoshi International Patent Office, Toranomon 9 Mori Bldg. 3F, 2-2, Atago 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0002 (JP)
優先権情報:
2003-004685 10.01.2003 JP
発明の名称: (EN) NICKEL ALLOY SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVERISATION EN ALLIAGE DE NICKEL
(JA) ニッケル合金スパッタリングターゲット
要約: front page image
(EN)A nickel alloy sputtering target comprising nickel wherein 0.5 to 10 at% of tantalum is contained, and a nickel alloy sputtering target characterized in that the content of unavoidable impurities excluding gas components therein is 100 wtppm or less. The nickel alloy sputtering target would enable forming a thermally stable silicide (NiSi) film and would suppress any film cohesion and excess silicide formation. In the formation of sputtering film, the nickel alloy sputtering target would reduce particle generation and ensure satisfactory uniformity. Further, the nickel alloy sputtering target excels in plastic moldability into target and is especially useful in the manufacturing of gate electrode material (thin film). Further, there is provided a process for producing the same.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation en alliage de nickel comprenant du nickel renfermant entre 0,5 et 10 at % de tantale. La cible de pulvérisation en alliage de nickel est caractérisée en ce que le contenu d'impuretés inévitables, à l'exception de composants gazeux, est d'au maximum 100 wtppm. Une telle cible permet de former un film de siliciure (NiSi) thermiquement stable et d'éliminer une cohésion quelconque de film et la formation de siliciure excédentaire. Dans la formation d'un film de pulvérisation, la cible de pulvérisation en alliage de nickel permet de réduire la production de particules et garantit une uniformité satisfaisante. De plus, la cible de pulvérisation en alliage de nickel présente une excellente aptitude au moulage plastique en cible et elle est très utile dans la fabrication de matériau d'électrode grille (film mince). L'invention concerne également un procédé de production de la cible.
(JA)ニッケルにタンタルを0.5~10at%含有するニッケル合金スパッタリングターゲット及びガス成分を除く不可避不純物が100wtppm以下であることを特徴とするニッケル合金スパッタリングターゲット。熱的に安定なシリサイド(NiSi)膜の形成が可能であり、膜の凝集や過剰なシリサイド化が起り難く、またスパッタ膜の形成に際してパーティクルの発生が少なく、ユニフォーミティも良好であり、さらにターゲットへの塑性加工性に富む、特にゲート電極材料(薄膜)の製造に有用なニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造技術を提供する。
指定国: CN, KR, US.
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)