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1. (WO2004061166) 単結晶製造用黒鉛ヒーター及び単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/061166    国際出願番号:    PCT/JP2003/015655
国際公開日: 22.07.2004 国際出願日: 08.12.2003
IPC:
C30B 15/14 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAKURADA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUSEGAWA, Izumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SOETA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IIDA, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SAKURADA, Masahiro; (JP).
FUSEGAWA, Izumi; (JP).
SOETA, Satoshi; (JP).
IIDA, Makoto; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F, 6-4, Motoasakusa 2-chome, Taito-ku, Tokyo 111-0041 (JP)
優先権情報:
2002-382317 27.12.2002 JP
2002-382307 27.12.2002 JP
2002-382291 27.12.2002 JP
2003-111694 16.04.2003 JP
発明の名称: (EN) GRAPHITE HEATER FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL, SINGLE CRYSTAL PRODUCTIN SYSTEM AND SINGLE CRYSTAL PRODUCTIN METHOD
(FR) GENERATEUR DE CHALEUR AU GRAPHITE PERMETTANT DE PRODUIRE UN CRISTAL UNIQUE, SYSTEME DE PRODUCTION DE CRISTAL UNIQUE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAL UNIQUE
(JA) 単結晶製造用黒鉛ヒーター及び単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法
要約: front page image
(EN)A graphite heater for producing single crystal by Czochralski method provided with a terminal being supplied with a current and a tubular heat generating section employing resistive heating and being disposed to surround a crucible containing melting material liquid, characterized in that the heat generating section has a heat generating slit section arranged alternately with upper slits extending downward from the upper end thereof and lower slits extending upward from the lower end thereof, at least one upper slit has a length different from that of other upper slits and/or at least one lower slit has a length different from that of other lower slits so that distribution of heat generation at the heat generating section is altered. When a silicon single crystal is pulled up in a specified flawless region or a specified flaw region, the silicon single crystal can be produced with a high production efficiency.
(FR)L'invention concerne un générateur de chaleur au graphite qui permet de produire un cristal unique au moyen de la technique de Czochralski. Ce générateur de chaleur est pourvu d'une borne qui est alimentée par un courant et d'une section génératrice de chaleur tubulaire qui utilise le chauffage ohmique et qui est disposée de façon qu'elle entoure un creuset contenant un matériau liquide en fusion. Ce générateur de chaleur est caractérisé en ce que : la section génératrice de chaleur comprend une section de fentes génératrices de chaleur disposées en alternance de façon que les fentes supérieures soient orientées vers le bas à partir de leur extrémité supérieure et que les fentes inférieures soient orientées vers le haut à partir de leur extrémité inférieure ; au moins une fente supérieure présente une longueur différente de celle d'autres fentes supérieures et/ou au moins une fente inférieure présente une longueur différente de celle d'autres fentes inférieures de façon à modifier la distribution de la génération de chaleur au niveau de la section génératrice de chaleur. Lorsqu'un cristal unique de silicium est tiré dans une région spécifique exempte de défauts ou dans une région spécifique de défauts, le cristal unique de silicium peut être produit avec une efficacité élevée.
(JA)本発明は、少なくとも、電流が供給される端子部と、抵抗加熱による円筒状発熱部とが設けられ、原料融液を収容するルツボを囲繞するように配置される、チョクラルスキー法により単結晶を製造する場合に用いられる黒鉛ヒーターであって、前記発熱部は、その上端から下へ延びる上スリットと、その下端から上へ延びる下スリットが交互に設けられて発熱スリット部を形成したものであり、かつ前記上スリットのうち少なくとも1つのスリットの長さが他の上スリットと異なり、及び/又は、前記下スリットのうち少なくとも1つのスリットの長さが他の下スリットと異なるものとして前記発熱部の発熱分布を変更したものであることを特徴とする単結晶製造用黒鉛ヒーターである。これにより、所定無欠陥領域又は所定欠陥領域でシリコン単結晶を引き上げる場合に、そのシリコン単結晶を高い生産効率で製造することを可能にする単結晶製造用黒鉛ヒーターを提供することができる。
指定国: KR, US.
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)