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1. (WO2004057655) 化合物半導体の製造方法及び化合物半導体の製造装置並びに赤外線発光素子及び赤外線受光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2004/057655 国際出願番号: PCT/JP2003/015479
国際公開日: 08.07.2004 国際出願日: 03.12.2003
IPC:
C23C 16/30 (2006.01) ,C30B 25/02 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
出願人: KOUKITU, Akinori[JP/JP]; JP (UsOnly)
KUMAGAI, Yoshinao[JP/JP]; JP (UsOnly)
TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY TLO CO.,LTD.[JP/JP]; 24-16 Naka-cho 2-chome Koganei-shi, Tokyo 184-8588, JP (AllExceptUS)
発明者: KOUKITU, Akinori; JP
KUMAGAI, Yoshinao; JP
代理人: ITO, Mitsuru; 6th floor, Yotsuya Chuou Building 2-17, Yotsuya 3-chome Shinjuku-ku, Tokyo 160-0004, JP
優先権情報:
2002-36833319.12.2002JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR, APPARATUS THEREFOR, INFRARED EMITTING ELEMENT AND INFRARED RECEIVING ELEMENT
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN COMPOSE SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL ASSOCIE, ELEMENT EMETTANT DES INFRAROUGES ET ELEMENT RECEVANT DES INFRAROUGES
(JA) 化合物半導体の製造方法及び化合物半導体の製造装置並びに赤外線発光素子及び赤外線受光素子
要約:
(EN) Process and apparatus for efficiently producing InAs1-xSbx of desired composition. Carrier gas and trimethylantimony ((CH3)3Sb) are introduced through gas introduction pipe (30a) in quartz reaction tube (10). Also, carrier gas and hydrogen chloride (HCl) are introduced. In the middle of hydrogen chloride channel, there is disposed boat (72) on which metallic indium (In metal) (70) is mounted. Further, carrier gas and arsine (AsH3) are introduced in the quartz reaction tube (10). Crystal growth is carried out under such conditions that the ratio of Group V metal to Group III metal, V/III ratio is less than 1. Under such conditions, the solid phase component ratio, x, of produced InAs1-xSbx crystal can be easily regulated by regulating the supply ratio among raw material Group V metals.
(FR) L'invention concerne un procédé et un appareil pour produire efficacement InAs1 xSx d'une composition voulue. Un gaz vecteur et du triméthylantimoine ((CH3)3Sb) sont introduits par un conduit d'introduction de gaz (30a) dans un tube de réaction en quartz (10). Un gaz vecteur et du chlorure d'hydrogène (HCl) sont également introduit dans le tube (10). Au milieu du canal de chlorure d'hydrogène, se trouve une nacelle (72) sur laquelle est disposé de l'indium métallique (In métal) (70). En outre, un gaz vecteur et de l'arsane (AsH3) sont introduits dans le tube de réaction en quartz (10). Il se produit une croissance de cristal dans des conditions telles que le rapport du métal de groupe V et du métal du groupe III, V/III est inférieur à 1. Dans de telles conditions, le rapport de composant en phase solide, x, de cristal InAs1-xSbx produit peut être facilement régulé par la régulation du rapport de réserve parmi les matières premières constituées par les métaux du groupe V.
(JA) 所望の組成のInAs1−xSbを効率的に製造する方法及び装置を提供する。石英反応管10には、ガス導入パイプ30aを介して、キャリアガス(Carrier Gas)とトリメチルアンチモン(Trimethylantimony:(CHSb)が導入される。同様に、キャリアガスと塩化水素(HCl)が導入されるが、この塩化水素の流路の途中に金属インジウム(In Metal)70を載せたボート72が配置されている。また、キャリアガスとアルシン(Arsine:AsH)が石英反応管10中に導入される。V属金属とIII属金属の比であるV/III比を1より小さい条件で結晶成長させる。この条件の下では、原料のV属金属間の供給比率を調整することによって、製造するInAs1−xSb結晶中の固相組成比xを容易に調整することが可能となる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)