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1. (WO2004057623) 不揮発性メモリ及びその書き込み方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/057623    国際出願番号:    PCT/JP2003/016157
国際公開日: 08.07.2004 国際出願日: 17.12.2003
IPC:
G11C 16/10 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FURUYAMA, Takaaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FURUYAMA, Takaaki; (JP)
代理人: ONDA, Hironori; 12-1, Ohmiya-cho 2-chome, Gifu-shi, Gifu 500-8731 (JP)
優先権情報:
2002-370278 20.12.2002 JP
発明の名称: (EN) NON-VOLATILE MEMORY AND WRITE METHOD THEREOF
(FR) MÉMOIRE NON VOLATILE ET PROCÉDÉ D'ÉCRITURE ASSOCIÉ
(JA) 不揮発性メモリ及びその書き込み方法
要約: front page image
(EN)A non-volatile memory in which write into a plurality of memory cells connected to the same word line can be performed all at once. In each of the memory cells (10) of a memory cell array (20), source lines (SL) separated from one another for each column are provided. During write, one of the first and the second source voltage is applied to each source line (SL) according to the data to be written. After a first control voltage of negative voltage is applied to a word line (CWL), a second control voltage of high voltage is applied to the word line (CWL) while maintaining the voltage of each source line (SL). Accordingly, each of the memory cells (10) is erased or programmed according to the voltage applied to each source line (SL).
(FR)L'invention concerne une mémoire non volatile dans laquelle les écritures dans une pluralité de cellules mémoire reliées à la même ligne mot peuvent être réalisées simultanément. Chacune des cellules mémoire (10) d'un réseau de cellules mémoire (20) comprend, dans chaque colonne, des lignes source (SL) séparées entre elles. Pendant l'écriture, soit la première, soit la seconde tension source est appliquée à chaque ligne source (SL) en fonction des données à écrire. Après qu'une première tension de commande à tension négative a été appliquée à une ligne mot (CWL), une seconde tension de commande à tension élevée est appliquée à la ligne mot (CWL), tout en maintenant la tension de chaque ligne source (SL). En conséquence, chaque cellule mémoire (10) est effacée ou programmée en fonction de la tension appliquée à chaque ligne source (SL).
(JA)同一のワード線上に接続される複数のメモリセルを一括して書き込み可能な不揮発性メモリ。メモリセルアレイ(20)の各メモリセル(10)には列単位毎に互いに分離されたソース線SLが設けられている。書き込み時、各ソース線(SL)には、書き込みするデータに応じて第1及び第2ソース電圧のうち何れか一方が印加される。ワード線(CWL)には、負電圧の第1制御電圧が印加された後、各ソース線SLの電圧が維持された状態で、高電圧の第2制御電圧が印加される。従って、各メモリセル(10)は、それぞれのソース線(SL)に印加されている電圧に応じてイレース又はプログラムされる。
指定国: CN, KR, US.
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)