JP2003015360 オゾン処理装置

1. (WO2004055879) オゾン処理装置

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国際公開番号:		WO/2004/055879		国際出願番号:		PCT/JP2003/015360
国際公開日:		01.07.2004		国際出願日:		01.12.2003

IPC:

B08B 7/00 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)

出願人:

SUMITOMO PRECISION PRODUCTS CO., LTD. [JP/JP]; 1-10, Fuso-cho, Amagasaki-shi, Hyogo 660-0891 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KIKUCHI, Tatsuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMANAKA, Takeo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAGUCHI, Yukitaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KANAYAMA, Tokiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)

発明者:

KIKUCHI, Tatsuo; (JP).
YAMANAKA, Takeo; (JP).
YAMAGUCHI, Yukitaka; (JP).
KANAYAMA, Tokiko; (JP)

代理人:

MURAKAMI, Satoshi; Room 804, Rise 88 Building, 1-10, Honjo-Higashi 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 531-0074 (JP)

優先権情報:

2002-362295

13.12.2002

発明の名称:

(EN) OZONE-PROCESSING APPARATUS
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT A L'OZONE
(JA) オゾン処理装置

要約:

(EN)An ozone-processing apparatus for efficiently and uniformly processing the entire surface of a substrate is disclosed. This ozone-processing apparatus (1) comprises a substrate supporting unit for supporting a substrate (K), a heating unit for heating the substrate (K), a first process gas supply head (30) arranged above the substrate (K) for discharging an ozone gas onto the peripheral portion of the substrate, a second process gas supply head (20) arranged above the substrate (K) for discharging an ozone gas onto the other portions of the substrate, and gas supply units (52, 50) which respectively feed ozone gases into the first and second process gas supply heads (30, 20). The gas supply units (52, 50) supply the ozone gases such that the first process gas supply head (30) is fed with an ozone gas having a higher ozone concentration than the ozone gas fed into the second process gas supply head (20).
(FR)L'invention concerne un dispositif de traitement à l'ozone permettant un traitement efficace et uniforme de l'ensemble de la surface d'un substrat. Ce dispositif de traitement à l'ozone (1) comprend une unité de support pour substrat servant de support à un substrat (K), une unité chauffante servant à chauffer le substrat (K), une première tête d'application de gaz (30) disposée au-dessus du substrat (K), servant à appliquer de l'ozone gazeux sur la partie périphérique du substrat, une seconde tête d'application de gaz (20) disposée au-dessus du substrat (K), servant à appliquer de l'ozone gazeux sur les autres parties du substrat, et des unités d'alimentation en gaz (52, 50) servant à alimenter en ozone gazeux la première et la seconde tête d'application de gaz (30, 20), respectivement. L'ozone gazeux fourni à la première tête d'application de gaz (30) est plus concentré que l'ozone gazeux fourni à la seconde tête d'application de gaz (20).
(JA)本発明は、基板表面全体を効率的且つ均一に処理することができるオゾン処理装置に関し、このオゾン処理装置１は、基板Ｋを支持する支持装置と、基板Ｋを加熱する加熱装置と、基板Ｋの上方に配設され、その周縁部に向けてオゾンガスを吐出する第１処理ガス供給ヘッド３０、及び周縁部以外の領域に向けてオゾンガスを吐出する第２処理ガス供給ヘッド２０と、第１及び第２処理ガス供給ヘッド３０，２０にオゾンガスをそれぞれ供給するガス供給装置５２，５０とを備える。ガス供給装置５２，５０は、第２処理ガス供給ヘッド２０に供給するオゾンガスに比べて高オゾン濃度のオゾンガスを第１処理ガス供給ヘッド３０に供給する。

指定国:

CN, KR, US.

国際公開言語:	Japanese (JA)
国際出願言語:	Japanese (JA)

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