WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2004055234) 成膜方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/055234    国際出願番号:    PCT/JP2003/016190
国際公開日: 01.07.2004 国際出願日: 17.12.2003
予備審査請求日:    22.04.2004    
IPC:
C23C 16/16 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 107-8481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMASAKI, Hideaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HATANO, Tatsuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWANO, Yumiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMASAKI, Hideaki; (JP).
HATANO, Tatsuo; (JP).
KAWANO, Yumiko; (JP)
代理人: ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu4-chome, Shibuya-ku, Tokyo 150-6032 (JP)
優先権情報:
2002-367073 18.12.2002 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING FILM
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜方法
要約: front page image
(EN)In a method for forming a metal film through a CVD method using a metal carbonyl material, a reactive gas is supplied into a space near the surface of a substrate to be processed so that the incubation time in film formation is reduced and the efficiency of substrate processing is improved accordingly. A method for forming a metal film using a metal carbonyl compound as a raw material comprises a first step wherein a reactive gas is supplied into a space near the surface of a substrate to be processed and a second step following the first step wherein a gaseous material containing the metal carbonyl compound is supplied into the space near the surface of the substrate so as to deposit a metal film on the surface of the substrate; and the method is characterized by carrying out the first step in such a manner that a substantial deposition of the metal film on the surface of the substrate is prevented.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de formation d'un film métallique par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur au moyen d'un matériau de métal carbonyle, dans lequel un gaz réactif est alimenté dans un espace à proximité de la surface d'un substrat à traiter de sorte que le temps d'incubation dans la formation de film soit réduit et l'efficacité de traitement de substrat en soit ainsi améliorée. Le procédé de formation d'un film métallique selon l'invention mettant en oeuvre un composé de métal carbonyle comme matière première comprend une première étape qui consiste en l'alimentation d'un gaz réactif dans l'espace à proximité de la surface d'un substrat à traiter et une deuxième étape suite à la première étape qui consiste en l'alimentation d'une substance gazeuse contenant le composé de métal carbonyle dans l'espace à proximité de la surface du substrat de manière à réaliser un dépôt de film métallique à la surface du substrat. Le procédé de l'invention se caractérise en ce que la première étape est effectuée de manière à éviter un dépôt substantiel de film métallique à la surface du substrat.
(JA)本発明の課題は、金属カルボニル原料を使ったCVD法による金属膜の成膜方法において、反応性ガスを被処理基板表面近傍の空間に導入することにより、成膜時のインキュベーションタイムを減少させて基板処理の効率を向上させる成膜方法を提供することにある。 本発明は上記の課題を、金属カルボニル化合物を原料とする金属膜の成膜方法であって、反応性ガスを被処理基板表面近傍の空間に導入する第1の工程と、前記第1の工程の後、前記金属カルボニル化合物を含む気相原料を前記被処理基板表面の空間に導入し、前記被処理基板表面に金属膜を堆積する第2の工程とを有し、前記第1の工程は、前記被処理基板上に前記金属膜の実質的な堆積が生じないように実行されることを特徴とする成膜方法より、解決する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)