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1. WO2004044259 - Taスパッタリングターゲット及びその製造方法

公開番号 WO/2004/044259
公開日 27.05.2004
国際出願番号 PCT/JP2003/009574
国際出願日 29.07.2003
予備審査請求日 04.12.2003
IPC
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
CPC
C22F 1/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
FCHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
1Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
16of other metals or alloys based thereon
18High-melting or refractory metals or alloys based thereon
C23C 14/3414
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
出願人
  • NIKKO MATERIALS CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • ODA, Kunihiro [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • ODA, Kunihiro
代理人
  • OGOSHI, Isamu
優先権情報
2002-32918613.11.2002JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) Ta SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF
(FR) CIBLE DE PULVERISATION A BASE DE TA ET PROCEDE DE PREPARATION DE CELLE-CI
(JA) Taスパッタリングターゲット及びその製造方法
要約
(EN)
A method for preparing a Ta sputtering target wherein a Ta ingot or billet formed by melting and casting is subjected to forging, annealing, rolling and the like to prepare a sputtering target, characterized in that it comprises forging the ingot or billet and then subjecting it to recrystallization annealing at a temperature of 1373K to 1673K. The method allows the preparation of a target composed of crystal grains being fine and having uniform diameters through the improvement of the forging step and the heat treatment step, which leads to stable production of a Ta sputtering target exhibiting excellent characteristics.
(FR)
L'invention concerne un procédé de préparation d'une cible de pulvérisation à base de Ta consistant à soumettre un lingot ou une billette de Ta formé par fusion et moulage à un forgeage, une recuisson, un laminage et analogue, aux fins de préparation d'une cible de pulvérisation. Ce procédé est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à forger le lingot ou la billette, puis à soumettre celui-ci à une recuisson de cristallisation à une température comprise entre 1373K et 1673K. Le procédé permet de préparer une cible composée de grains cristallins fins et de diamètres uniformes obtenus grâce aux étapes de forage et de traitement thermiques améliorées permettant d'obtenir une production stable d'une cible de pulvérisation à base de Ta présentant d'excellentes caractéristiques.
(JA)
溶解鋳造したTaインゴット又はビレットを鍛造、焼鈍、圧延加工等によりスパッタリングターゲットを製造する方法において、インゴット又はビレットを鍛造した後に1373K~1673Kの温度で再結晶焼鈍することを特徴とするTaスパッタリングターゲットの製造方法。鍛造工程及び熱処理工程を改良・工夫することにより、結晶粒径を微細かつ均一にし、特性に優れたTaスパッタリングターゲットを安定して製造できる方法を得ることを課題とする。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報