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1. WO2004043937 - キノキサリン誘導体、有機半導体素子および電界発光素子

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[ JA ]

請求の範囲

1. 一般式 [化 1 ] で表されるキノキサリン誘導体。

[化 1]


(式中、 Xおよび Yはアルキル基、置換または無置換のァリール基、あるいは置換 または無置換の複素環残基を示し、 R 1 ~ R 6は、それぞれ独立に水素、アルキル 基、アルコキシル基、置換または無置換のァリール基、置換または無置換の複素環 残基を示す。)

2. 一般式 [化 2 ] で表されるキノキサリン誘導体。


[化 2]

(式中、 Xおよび Yはアルキル基、置換または無置換のァリール基、あるいは置換 または無置換の複素環残基を示し、 R 1〜R 8は、それぞれ独立に水素、アルキル 基、アルコキシル基、置換または無置換のァリール基、置換または無置換の複素環 残基を示す。)

3. —般式 [化 3 ] で表されるキノキサリン誘導体。

[化 3]


(式中、 Xおよび Yはアルキル基、置換または無置換のァリール基、あるいは置換 または無置換の複素環残基を示し、 R 1〜R 6は、それぞれ独立に水素、アルキル 基、アルコキシル基、置換または無置換のァリール基、置換または無置換の複素環 残基を示す。)

-般式 [化 4 ] で表されるキノキサリン誘導体。

[化 4]


(式中、 Xおよび Yはアルキル基、置換または無置換のァリール基、あるいは置換 または無置換の複素環残基を示し、 R 1〜R 6は、それぞれ独立に水素、アルキル 基、アルコキシル基、置換または無置換のァリール基、置換または無置換の複素環 残基を示す。)

5. 一般式 [化 5 ] で表されるキノキサリン誘導体。

[化 5]


(式中、 Xおよび Yはアルキル基、置換または無置換のァリール基、あるいは置換 または無置換の素環残基を示し、 R 1〜R 8は、それぞれ独立に水素、アルキル 基、アルコキシル基、置換または無置換のァリール基、置換または無置換の複素環 残基を示す。)

6. 請求項 1乃至請求項 5のいずれか一において、

一般式 [ィヒ 6 ] で表される前記複素環残基を含むキノキサリン誘導体。


[化 6]

(式中、 Aは Sまたは 0を示す。)

-般式 [化 1 ] で表されるキノキサリン誘導体を用いた有機半導体素子。


[化 I]

(式中、 Xおよび丫はアルキル基、置換または無置換のァリール基、あるいは置換 または無置換の複素環残基を示し、 FM〜R 6は、それぞれ独立に水素、アルキル 基、アルコキシル基、置換または無置換のァリール基、置換または無置換の複素環 残基を示す。)

8. —般式 [化 2] で表されるキノキサリン誘導体を用いた有機半導体素子。


[化 2]

(式中、 Xおよび Yはアルキル基、置換または無置換のァリール基、あるいは置換 または無置換の複素環残基を示し、 R 1〜R 8は、それぞれ独立に水素、アルキル 基、アルコキシル基、置換または無置換のァリール基、置換または無置換の複素環 残基を示す。)'

9. 一般式 [化 3] で表されるキノキサリン誘導体を用いた有機半導体素子。

[化 3]


(式中、 Xおよび Yはアルキル基、置換または無置換のァリール基、あるいは置換 または無置換の複素環残基を示し、 R 1 ~ R 6は、それぞれ独立に水素、アルキル 基、アルコキシル基、置換または無置換のァリール基、置換または無置換の複素環 残基を示す。)

10. 一般式 [ィヒ 4] で表されるキノキサリン誘導体を用いた有機半導体素子。

[化 4]


(式中、 Xおよび丫はアルキル基、置換または無置換のァリール基、あるいは置換 または無置換の複素環残基を示し、 R 1〜R 6は、それぞれ独立に水素、アルキル 基、アルコキシル基、置換または無置換のァリール基、置換または無置換の複素環 残基を示す。)

1 1. 一般式 [化 5] で表されるキノキサリン誘導体を用いた有機半導体素

[化 5]


(式中、 Xおよび Yはアルキル基、置換または無置換のァリール基、あるいは置換 または無置換の複素環残基を示し、 R 1〜R 8は、それぞれ独立に水素、アルキル 基、アルコキシル基、置換または無置換のァリール基、置換または無置換の複素環 残基を示す。)

1 2. 請求項 7乃至請求項 1 1のいずれか一において、

一般式 [化 6] で表される前記複素環残基を含むキノキサリン誘導体を用いた有 機半導体素子。

[化 6]


(式中、 Aは Sまたは Oを示す。)

13. 請求項 6乃至 1 2のいずれか一において、

前記キノキサリン誘導体を電子輸送性材料として用いたことを特徴とする電界発 光素子。

14. 請求項 6乃至 1 2のいずれか一において、

前記キノキサリン誘導体をホールブロッキング性材料として用いたことを特徴と する電界発光素子。

1 5. 一般式 [化 1 ] で表されるキノキサリン誘導体およびゲスト材料を含む発光. 層を有することを特徴とする電界発光素子。

[化 1]


(式中、 Xおよび丫はアルキル基、置換または無置換のァリール基、あるいは置換 または無置換の複素環残基を示し、 R 1 〜 R 6は、それぞれ独立に水素、アルキル 基、アルコキシル基、置換または無置換のァリール基、置換または無置換の複素環 残基を示す。)

16. —般式 [ィ匕 2 ] で表されるキノキサリン誘導体およびゲス卜材料を含む発光 層を有することを特徴とする電界発光素子。

[化 2]


(式中、 Xおよび Yはアルキル基、置換または無置換のァリール基、あるいは置換 または無置換の複素環残基を示し、 R 1 〜 R 8は、それぞれ独立に水素、アルキル 基、アルコキシル基、置換または無置換のァリール基、置換または無置換の複素環 残基を示す。)

17. 一般式 [化 3] で表されるキノキサリン誘導体およびゲスト材料を含む発光 層を有することを特徴とする電界発光素子。

[化 3]


(式中、 Xおよび Yはアルキル基、置換または無置換のァリール基、あるいは置換 または無置換の複素環残基を示し、 R 1〜R 6は、それぞれ独立に水素、アルキル 基、アルコキシル基、置換または無置換のァリール基、置換または無置換の複素環 残 示す。 )

18. 一般式 [化 4] で表されるキノキサリン誘導体およびゲスト材料を含む発光 層を有することを特徴とする電界発光素子。

[化 4]


(式中、 Xおよび Υはアルキル基、置換または無置換のァリール基、あるいは置換 または無置換の複素環残基を示し、 R 1〜R 6は、それぞれ独立に水素、アルキル 基、アルコキシル基、置換または無置換のァリール基、置換または無置換の複素環 残基を示す。)

19. 一般式 [化 5] で表されるキノキサリン誘導体およびゲスト材料を含む発光 層を有することを特徴とする電界発光素 :

[化 5]


(式中、 Xおよび Yはアルキル基、置換または無置換のァリーゾレ基、あるいは置換 または無置換の複素環残基を示し、 R 1〜R 8は、それぞれ独立に水素、アルキル 基、アルコキシル基、置換または無置換のァリール基、置換または無置換の複素環 残基を示す。)

20. 請求項 1 9乃至請求項 2 3のいずれか一において、

—般式 [化 6] で表される前記複素環残基を含むキノキサリン誘導体およびゲス 卜材料を含む発光層を有することを特徴とする電界発光素子。


[化 6]

(式中、 Aは Sまたは 0を示す。)

21. 請求項 1 5乃至 2 0のいずれか一において、

前記ゲス卜材料は、燐光性物質であることを特徴とする電界発光素子。