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1. WO2004040657 - 有機半導体装置

公開番号 WO/2004/040657
公開日 13.05.2004
国際出願番号 PCT/JP2003/013615
国際出願日 24.10.2003
予備審査請求日 24.05.2004
IPC
H01L 51/30 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30材料の選択
CPC
H01L 27/283
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
283comprising components of the field-effect type
H01L 51/0081
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0077Coordination compounds, e.g. porphyrin
0079Metal complexes comprising a IIIB-metal (B, Al, Ga, In or TI), e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium (Gaq3)
0081comprising aluminium, e.g. Alq3
H01L 51/0512
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
出願人
  • PIONEER CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • TANABE, Takahisa [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • TANABE, Takahisa
代理人
  • FUJIMURA, Motohiko
優先権情報
2002-31582830.10.2002JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ORGANIQUES
(JA) 有機半導体装置
要約
(EN)
An organic semiconductor device is composed of at least two p-type and n-type channel organic semiconductor elements. The respective organic semiconductor elements comprise an opposing pair of source electrode and drain electrode, an organic semiconductor layer with carrier mobility which is so formed as to provide a channel between the source electrode and the drain electrode, and a gate electrode for applying an electric field to the organic semiconductor layer between the source electrode and the drain electrode via a gate insulating film. In the organic semiconductor device, the source electrode and the drain electrode of the p-type channel organic semiconductor element is composed of a material having a higher work function than the material for the source electrode and the drain electrode of the n-type channel organic semiconductor element.
(FR)
Un dispositif à semi-conducteurs organiques est constitué d'au moins deux éléments semi-conducteurs organiques à canaux de type p et de type n. Les éléments à semi-conducteurs organiques respectifs comprennent une paire opposée d'électrode source et d'électrode drain, une couche de semi-conducteurs organiques avec mobilité du support qui est ainsi formée de manière à définir un canal entre l'électrode source et l'électrode drain, et une électrode gâchette servant à appliquer un champ électrique sur la couche à semi-conducteurs organiques entre l'électrode source et l'électrode drain via un film isolant de gâchette. Dans le dispositif à semi-conducteurs organiques, l'électrode source et l'électrode drain de l'élément à semi-conducteur organique à canal de type p est constitué d'un matériau ayant une capacité de fonctionnement supérieure à celle du matériau de l'électrode source et de l'électrode drain de l'élément à semi-conducteurs organiques à canal de type n.
(JA)
有機半導体装置は少なくとも2つのp型及びn型チャネル有機半導体素子からなる。有機半導体素子各々は、対向する1対のソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極の間にチャネルを形成できるように成膜されたキャリア移動性の有機半導体層と、ソース電極及びドレイン電極の間の有機半導体層に電界をゲート絶縁膜を介して印加せしめるゲート電極と、を備える。有機半導体装置は、p型チャネル有機半導体素子のソース電極及びドレイン電極は、n型チャネル有機半導体素子のソース電極及びドレイン電極の仕事関数の値よりも高い値の仕事関数を有する材料からなる。
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