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1. WO2004040632 - 熱処理装置及び熱処理方法

公開番号 WO/2004/040632
公開日 13.05.2004
国際出願番号 PCT/JP2003/013849
国際出願日 29.10.2003
予備審査請求日 05.04.2004
IPC
H01L 21/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
CPC
F27B 17/0025
FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
BFURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
17Furnaces of a kind not covered by any preceding group
0016Chamber type furnaces
0025Especially adapted for treating semiconductor wafers
H01L 21/67109
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67109mainly by convection
H01L 21/67253
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
出願人
  • TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • FUJITA, Takehiko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • OKADA, Mitsuhiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • UMEZAWA, Kota [JP]/[JP] (UsOnly)
  • HASEBE, Kazuhide [JP]/[JP] (UsOnly)
  • SAKAMOTO, Koichi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • FUJITA, Takehiko
  • OKADA, Mitsuhiro
  • UMEZAWA, Kota
  • HASEBE, Kazuhide
  • SAKAMOTO, Koichi
代理人
  • YOSHITAKE, Kenji
優先権情報
2002-31637730.10.2002JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) HEAT TREATING SYSTEM AND HEAT TREATING METHOD
(FR) SYSTEME DE TRAITEMENT THERMIQUE ET PROCEDE DE TRAITEMENT THERMIQUE
(JA) 熱処理装置及び熱処理方法
要約
(EN)
A heat treating system comprising a holding unit for holding a plurality of substrates, a reaction container into which the holding unit is carried, a treating gas supply mechanism for supplying a treating gas into the reaction container, and a heating mechanism for heating the reaction container when the treating gas is supplied to perform a film-forming processing on the substrates. Flow-rate parameter table data in which data on the number of substrates scheduled for treating in one batch is allowed to correspond to the target value data of the treating gas flow-rate parameters is stored in a flow-rate parameter table data storing unit. A control means obtains the target value data of the treating gas flow-rate parameters according to an actual number of substrates scheduled for treating in one batch and based on flow-rate parameter table data stored in the flow-rate parameter table data storing unit, and controls the treating gas supply mechanism according to the target value data. The target value data of the flow-rate parameters is so determined as to provide a uniform film-forming speed to treating batches in which the number of substrate scheduled for treating differs from one another.
(FR)
La présente invention a trait à un système de traitement thermique comportant une unité de support destinée au maintien d'un ensemble de substrats, une cuve de réaction dans laquelle est portée l'unité de support, un mécanisme d'alimentation en gaz de traitement permettant la fourniture de gaz de traitement dans la cuve de réaction, et un mécanisme de chauffage destiné au réchauffement de la cuve de réaction lors de la fourniture de gaz de traitement pour effectuer un traitement de formation de films sur les substrats. Des données de table de paramètres de débit dans lesquelles des données concernant le nombre de substrats programmés pour le traitement dans un lot permet la mise en correspondance avec une donnée de valeurs cibles des paramètres de débit de gaz de traitement dans une unité de stockage de données de table de paramètres de débit. Un moyen de commande obtient la donnée de valeurs cibles des paramètres de débit de gaz de traitement selon un nombre réel de substrats programmés pour le traitement dans un lot et sur la base des données de table de paramètres de débit stockées dans l'unité de stockage de données de table de paramètres de débit, et commande le mécanisme d'alimentation en gaz de traitement selon la donnée de valeurs cibles. La donnée de valeurs cibles des paramètres de débit est déterminée de manière à fournir une vitesse de formation de film uniforme aux lots de traitement dans lesquels le nombre de substrats programmés pour le traitement est différent les uns des autres.
(JA)
本発明の熱処理装置は、複数の基板を保持する保持具と、前記保持具が搬入される反応容器と、前記反応容器に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、前記処理ガスの供給時に前記反応容器を加熱して基板に成膜処理を施す加熱機構と、を備える。1バッチ処理で処理が予定される基板の枚数データと前記処理ガスの流量パラメータの目標値データとを対応させた流量パラメータテーブルデータが、流量パラメータテーブルデータ記憶部に記憶される。制御手段が、1バッチ処理で処理が予定される基板の実際の枚数に応じて、前記流量パラメータテーブルデータ記憶部に記憶された流量パラメータテーブルデータに基づいて、前記処理ガスの流量パラメータの目標値データを得ると共に、当該目標値データに従って前記処理ガス供給機構を制御する。前記流量パラメータの目標値データは、処理が予定される基板の枚数が互いに異なるバッチ処理間で成膜速度が揃うように決められている。
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