処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2004040582 - 抵抗変化素子を用いた不揮発性フリップフロップ回路の駆動方法

公開番号 WO/2004/040582
公開日 13.05.2004
国際出願番号 PCT/JP2003/013813
国際出願日 29.10.2003
予備審査請求日 05.04.2004
IPC
G11C 14/00 2006.01
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
14電源遮断時にバックアップするための,揮発性メモリセルと不揮発性メモリセルの配置によって特徴づけられたデジタル記憶装置
H01L 27/10 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
H03K 3/356 2006.01
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
3電気的パルスの発生回路;単安定回路,双安定回路,多安定回路
02パルスの発生に用いられる回路形式または手段によって特徴づけられた発生器
353能動素子として内部または外部正帰還をもつ電界効果トランジスタを用いるもの
356双安定回路
CPC
G11C 13/0004
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0004comprising amorphous/crystalline phase transition cells
G11C 14/0072
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
14Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down
0054in which the volatile element is a SRAM cell
0072and the nonvolatile element is a ferroelectric element
G11C 14/009
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
14Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down
0054in which the volatile element is a SRAM cell
009and the nonvolatile element is a resistive RAM element, i.e. programmable resistors, e.g. formed of phase change or chalcogenide material
H01L 27/101
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
101including resistors or capacitors only
H03K 3/356008
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
3Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
353by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
356Bistable circuits
356008ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied; storing the actual state when the supply voltage fails
出願人
  • MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • TOYODA, Kenji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • OHTSUKA, Takashi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • TOYODA, Kenji
  • OHTSUKA, Takashi
代理人
  • SAEGUSA, Eiji
優先権情報
2002-31972201.11.2002JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR DRIVING NON-VOLATILE FLIP-FLOP CIRCUIT USING RESISTANCE CHANGE ELEMENT
(FR) PROCEDE PERMETTANT D'AMORCER UN CIRCUIT BISTABLE NON VOLATILE A L'AIDE D'UNE ELEMENT DE CHANGEMENT DE RESISTANCE
(JA) 抵抗変化素子を用いた不揮発性フリップフロップ回路の駆動方法
要約
(EN)
A method for driving a non-volatile flip-flop circuit including a first and a second resistance change element connected via a control transistor to a first and a second storage node of the flip-flop circuit. The method includes a store step in which both of the first and the second resistance change elements are set to a low resistance and among the first and the second resistance change elements, the resistance change element connected to a storage node for storing “0” is maintained at the low resistance while the resistance change element connected to the storage node for storing “1” alone is set to a high resistance; and a recall step in which “1” is stored in the storage node connected to the resistance change element which is at the high resistance and subsequently, “0” is stored in the storage node connected to the resistance change element which is at the low resistance.
(FR)
L'invention concerne un procédé permettant d'amorcer un circuit bistable non volatile comprenant des premier et second éléments de changement de résistance connectés par l'intermédiaire un transistor de commande à des premier et second noeuds de stockage du circuit bistable. Ce procédé comprend une étape de stockage dans laquelle les premier et second éléments de changement de résistance sont réglés à une faible résistance et parmi les premier et second éléments de changement de résistance, l'élément de changement de résistance connecté à un noeud de stockage pour stocker «0» est maintenu à la faible résistance alors que l'élément de changement de résistance connecté au noeud de stockage pour stocker «1» seul est réglé à une résistance élevée. Ce procédé comprend également une étape de rappel dans laquelle «1» est stocké dans le noeud de stockage connecté à l'élément de changement de résistance qui est à la résistance élevée puis «0» est stocké dans le noeud de stockage connecté à l'élément de changement de résistance qui possède la faible résistance.
(JA)
not available
国際事務局に記録されている最新の書誌情報