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1. WO2004040046 - 基材上に中間層を介して薄膜を形成する方法

公開番号 WO/2004/040046
公開日 13.05.2004
国際出願番号 PCT/JP2003/013887
国際出願日 29.10.2003
IPC
C30B 23/02 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
23蒸発または昇華した物質の凝固による単結晶成長
02エピタキシャル層成長
C30B 25/18 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02エピタキシャル層成長
18基板によって特徴づけられたもの
H01L 39/24 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
39超電導性またはハイパーコンダクティビティを利用する装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
2439/00に分類されている装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
CPC
C30B 23/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
02Epitaxial-layer growth
C30B 25/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
18characterised by the substrate
C30B 29/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
16Oxides
22Complex oxides
C30B 29/225
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
16Oxides
22Complex oxides
225based on rare earth copper oxides, e.g. high T-superconductors
H01L 39/2461
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
39Devices using superconductivity; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
24Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of devices provided for in H01L39/00 or of parts thereof
2419the superconducting material comprising copper oxide
2422Processes for depositing or forming superconductor layers
2454characterised by the substrate
2461Intermediate layers, e.g. for growth control
出願人
  • SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • INTERNATIONAL SUPERCONDUCTIVITY TECHNOLOGY CENTER, THE JURIDICAL FOUNDATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • HASEGAWA, Katsuya [JP]/[JP] (UsOnly)
  • IZUMI, Teruo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • SHIOHARA, Yuh [JP]/[JP] (UsOnly)
  • SUGAWARA, Yoshihiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • HIRAYAMA, Tsukasa [JP]/[JP] (UsOnly)
  • OBA, Fumiyasu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • IKUHARA, Yuichi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • HASEGAWA, Katsuya
  • IZUMI, Teruo
  • SHIOHARA, Yuh
  • SUGAWARA, Yoshihiro
  • HIRAYAMA, Tsukasa
  • OBA, Fumiyasu
  • IKUHARA, Yuichi
代理人
  • FUKAMI, Hisao
優先権情報
2002-31847731.10.2002JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR FORMING THIN FILM ON BASIC MATERIAL THROUGH INTERMEDIATE LAYER
(FR) PROCEDE DESTINE A FORMER UN FILM MINCE SUR UN MATERIAU DE BASE A TRAVERS UNE COUCHE INTERMEDIAIRE
(JA) 基材上に中間層を介して薄膜を形成する方法
要約
(EN)
A technology for forming a thin film of good quality on a basic material through an intermediate layer. The technology is applied preferably to the formation of a high-temperature superconducting oxide thin film being employed in a superconducting wire material or a superconducting device. The method for forming a thin film on a basic material through an intermediate layer is characterized by comprising a process for calculating the energy Ea on the interface A between the basic material and the intermediate layer, the energy Eb on the interface B between the intermediate layer and the thin film, and the energy Ec on the interface C between the basic material and the thin film under a state where the intermediate layer does not exist, and a process for selecting an intermediate layer material satisfying the conditions Ea<Ec and Eb<Ec.
(FR)
L'invention concerne une technologie destinée à former un film mince de bonne qualité sur un matériau de base à travers une couche intermédiaire. La technologie est de préférence appliquée à la formation d'un film mince à base d'oxyde supraconducteur haute température utilisé dans un matériau de câblage supraconducteur ou un dispositif supraconducteur. Le procédé de formation d'un film mince sur un matériau de base à travers une couche intermédiaire est caractérisé en ce qu'il comprend un procédé de calcul de l'énergie Ea sur l'interface A entre le matériau de base et la couche intermédiaire, de l'énergie Eb de l'interface B entre la couche intermédiaire et le film mince, et de l'énergie Ec de l'interface C entre le matériau de base et le film mince dans des conditions dans lesquelles la couche intermédiaire n'existe pas. L'invention concerne également un procédé destiné à choisir un matériau de couche intermédiaire satisfaisant les conditions Ea < Ec et Eb < Ec.
(JA)
not available
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