処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2004040045 - シリコンウェーハの製造方法

公開番号 WO/2004/040045
公開日 13.05.2004
国際出願番号 PCT/JP2003/014001
国際出願日 31.10.2003
予備審査請求日 10.03.2004
IPC
C30B 15/00 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
15融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法
CPC
C30B 15/203
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
20Controlling or regulating
203the relationship of pull rate (v) to axial thermal gradient (G)
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
出願人
  • KOMATSU DENSHI KINZOKU KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • MAEDA, Susumu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • INAGAKI, Hiroshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • KAWASHIMA, Shigeki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • KUROSAKA, Shoei [JP]/[JP] (UsOnly)
  • NAKAMURA, Kozo [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • MAEDA, Susumu
  • INAGAKI, Hiroshi
  • KAWASHIMA, Shigeki
  • KUROSAKA, Shoei
  • NAKAMURA, Kozo
代理人
  • KIMURA, Takahisa
優先権情報
2002-31795531.10.2002JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON WAFER
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの製造方法
要約
(EN)
A method for producing a silicon crystal wherein the boron concentration in the silicon crystal and the growth condition V/G are controlled so that the boron concentration in the silicon crystal is not less than 1 × 1018 atoms/cm3 and the growth condition V/G falls within the epitaxial defect-free region &agr;2 whose lower limit line LN1 is the line indicating that the growth rate V gradually drops as the boron concentration increases. A method for producing a silicon wafer wherein the boron concentration in the silicon crystal and the growth condition V/G are controlled so that the growth condition V/G falls within at least the epitaxial defect region &bgr;1, and the heat treatment condition of the silicon crystal and the oxygen concentration in the silicon crystal are controlled so that no OSF nucleis grow to OSFs. A method for producing a silicon crystal wherein the boron concentration in the silicon crystal and the growth condition V/G are controlled so that they fall in the vicinity of the lower limit line LN3 within the epitaxial defect-free region &agr;1.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production d'un cristal de silicium, la concentration en bore dans ce cristal de silicium et la condition de croissance V/G étant régulées de sorte que la concentration en bore dans le cristal de silicium ne soit pas inférieure à 1x1018 atomes/cm3 et que la condition de croissance V/G soit comprise dans la région sans défauts épitaxiaux $g(a)2 dont la ligne de limite inférieure LN1 est la ligne indiquant que la vitesse de croissance V baisse progressivement lorsque la concentration en bore augmente. L'invention concerne également un procédé de production d'une tranche de silicium, la concentration en bore dans le cristal de silicium et la condition de croissance V/G étant régulées de sorte que la condition de croissance V/G soit comprise au moins dans la région à défauts épitaxiaux $g(b)1, la condition de traitement thermique du cristal de silicium et la concentration en oxygène dans ce cristal de silicium étant régulées de façon qu'aucun noyau d'OSF ne se développe sur les OSF. L'invention concerne en outre un procédé de production d'un cristal de silicium, la concentration en bore dans ce cristal de silicium et la condition de croissance V/G étant régulées de sorte à se trouver au voisinage de la ligne de limite inférieure LN3 à l'intérieur de la région sans défauts épitaxiaux $g(a)1.
(JA)
not available
関連公開情報:
国際事務局に記録されている最新の書誌情報