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1. WO2004039903 - 低誘電率非晶質シリカ系被膜形成用塗布液および該塗布液の調製方法

公開番号 WO/2004/039903
公開日 13.05.2004
国際出願番号 PCT/JP2003/013690
国際出願日 27.10.2003
IPC
C08G 77/08 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
77高分子の主鎖にいおう,窒素,酸素または炭素を有しまたは有せずにけい素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
04ポリシロキサン
06製造法
08用いられた触媒に特徴のあるもの
C09D 183/04 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
Dコーティング組成物,例.ペンキ,ワニスまたはラッカー;パテ;塗料除去剤インキ消し;インキ;修正液;木材用ステイン;糊状または固形の着色料または捺染料;これらの物質の使用法
183主鎖のみに,いおう,窒素,酸素または炭素を含みまたは含まずにけい素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物に基づくコーティング組成物;そのような重合体の誘導体に基づくコーティング組成物
04ポリシロキサン
H01L 21/312 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312有機物層,例.フォトレジスト
H01L 21/316 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
316酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
CPC
C08G 77/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
77Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
04Polysiloxanes
06Preparatory processes
08characterised by the catalysts used
C09D 183/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
183Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
04Polysiloxanes
H01L 21/02126
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02126the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
H01L 21/02216
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02205the layer being characterised by the precursor material for deposition
02208the precursor containing a compound comprising Si
02214the compound comprising silicon and oxygen
02216the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
H01L 21/02282
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
0226formation by a deposition process
02282liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
H01L 21/316
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
314Inorganic layers
316composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
出願人
  • CATALYSTS & CHEMICALS INDUSTRIES CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • FUJITSU LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • NAKASHIMA, Akira [JP]/[JP] (UsOnly)
  • EGAMI, Miki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • KOMATSU, Michio [JP]/[JP] (UsOnly)
  • NAKATA, Yoshihiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • YANO, Ei [JP]/[JP] (UsOnly)
  • SUZUKI, Katsumi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • NAKASHIMA, Akira
  • EGAMI, Miki
  • KOMATSU, Michio
  • NAKATA, Yoshihiro
  • YANO, Ei
  • SUZUKI, Katsumi
代理人
  • ISHIDA, Masahisa
優先権情報
2002-31841731.10.2002JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COATING LIQUID FOR FORMING AMORPHOUS SILICA COATING FILM OF LOW DIELECTRIC CONSTANT AND PROCESS FOR PRODUCING THE COATING LIQUID
(FR) ENDUIT LIQUIDE FORMANT UN FILM DE REVETEMENT DE SILICE AMORPHE A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION DE L'ENDUIT LIQUIDE
(JA) 低誘電率非晶質シリカ系被膜形成用塗布液および該塗布液の調製方法
要約
(EN)
A coating liquid for forming an amorphous silica coating film of low dielectric constant, the amorphous silica coating film having a relative dielectric constant as low as 2.5 or less and a Young’s modulus of elasticity of 6.0 GPa or over and excelling in hydrophobicity; and a process for producing the coating liquid. This coating liquid is one comprising a silicon compound obtained by hydrolysis of a tetraalkyl orthosilicate (TAOS) and specified alkoxysilane (AS) in the presence of a tetraalkylammonium hydroxide (TAAOH), or one comprising a silicon compound obtained by sequentially performing hydrolysis or partial hydrolysis of a tetraalkyl orthosilicate (TAOS) in the presence of a tetraalkylammonium hydroxide (TAAOH), mixing the hydrolyzate or partial hydrolyzate with specified alkoxysilane (AS) or hydrolyzate or partial hydrolyzate thereof and according to necessity, hydrolysis of portion or the whole of the mixture. This coating liquid is prepared by mixing the above components in specified proportion and conducting processing under specified conditions.
(FR)
Cette invention concerne un enduit liquide permettant de former un film de revêtement de silice amorphe à faible constante diélectrique, lequel revêtement a une constante diélectrique relative très basse de 2,5 ou moins et un module d'élasticité de Young de 6,o Gpa ou plus et une remarquable hydrophobicité ; et un procédé de fabrication dudit enduit liquide. Cet enduit liquide soit comprend un composé de silicium obtenu par hydrolyse d'un orthosilicate de tétraalkyle (TAOS) et un alkoxysilane (AS) spécifié en présence d'un hydroxyde de tétraalkylammonium (TAAOH), soit un composé de silicium obtenu hydrolyse séquentielle ou partielle d'un orthosilicate de tétraalkyle (TAOS) en présence d'un hydroxyde de tétraalkylammonium (TAAOH). On mélange l'hydrolysat complètement ou partiellement avec un alkoxysilane (AS) spécifié, avec, selon besoin, hydrolyse d'une partie ou de la totalité du mélange. Cet enduit liquide s'obtient en mélangeant les composants susmentionnés selon un dosage spécifié et en effectuant un traitement en conditions déterminées.
(JA)
本発明は、比誘電率が2.5以下と小さく、ヤング弾性率が6.0GPa以上で、しかも疎水性に優れた低誘電率非晶質シリカ系被膜を形成するための塗布液およびその調製方法に関する。この塗布液は、テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)および特定のアルコキシシラン(AS)をテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物を含むもの、あるいはテトラアルキルオルソシリケート(TAOS)をテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の存在下で加水分解または部分加水分解した後、特定のアルコキシシラン(AS)またはその加水分解物もしくは部分加水分解物と混合し、さらに必要に応じてこれらの一部または全部を加水分解して得られるケイ素化合物を含むものである。また、この塗布液は、前記の成分を特定の割合で混合し、かつ特定の操作条件下で調製される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報