WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2004017396) 半導体基体上の絶縁膜を形成する方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/017396    国際出願番号:    PCT/JP2003/010357
国際公開日: 26.02.2004 国際出願日: 14.08.2003
予備審査請求日:    06.11.2003    
IPC:
H01L 21/316 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HONGOH, Toshiaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HONGOH, Toshiaki; (JP)
代理人: AOKI, Atsushi; A. AOKI, ISHIDA & ASSOCIATES, Toranomon 37 Mori Bldg., 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8423 (JP)
優先権情報:
2002-236343 14.08.2002 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF FORMING INSULATION FILM ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM ISOLANT SUR UN SUBSTRAT A SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体基体上の絶縁膜を形成する方法
要約: front page image
(EN)A method of obtaining in a short time an insulation film capable of being obtained from an LCD-use TFT and having a large dielectric strength and a small interface-level density. A silicon substrate (101) is subjected to plasma oxidizing to form a first insulation film (102), and a second insulation film (103) is deposited on the first insulation film (102) by using plasma CVD to thereby form an insulation film.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant d'obtenir en peu de temps un film isolant à partir d'un transistor TFT LCD, et présentant une grande force diélectrique et une faible densité au niveau de l'interface. Un substrat (101) de silicone est soumis à une oxydation au plasma pour former un premier film isolant (102), et un second film isolant (103) est déposé sur le premier film isolant (102) par plasma CVD afin de former un film isolant.
(JA)not available
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)