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1. (WO2004016825) ハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/016825    国際出願番号:    PCT/JP2003/008461
国際公開日: 26.02.2004 国際出願日: 03.07.2003
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01)
出願人: NIKKO MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8407 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IRUMATA, Shuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUZUKI, Ryo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: IRUMATA, Shuichi; (JP).
SUZUKI, Ryo; (JP)
代理人: OGOSHI, Isamu; Ogoshi International Patent Office, Toranomon 9 Mori Bldg. 3F, 2-2, Atago 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0002 (JP)
優先権情報:
2002-228143 06.08.2002 JP
発明の名称: (EN) HAFNIUM SILICIDE TARGET AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF
(FR) CIBLE EN SILICIURE DE HAFNIUM ET SON PROCEDE DE PREPARATION
(JA) ハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A hafnium silicide target for forming a gate oxide film, characterized in that it has a composition of HfSi0.82-0.98 and has an oxygen content of 500 to 10000 ppm; and a method for preparing the hafnium silicide target which comprises synthesizing a powder having a composition of HfSi0.82-0.98, followed by pulverization into a powder of 100 mesh or less, and subjecting the resultant powder to a hot pressing or hot hydrostatic pressing (HIP) at 1700 to 2120°C under 150 to 2000 kgf/cm2. The hafnium silicide target is suitable for forming a HfSiO film and a HfSiON film which can be used as a high dielectric gate insulating film having characteristics sufficient to be used in place of a SiO2 film and a SiON film, respectively, exhibits excellent resistance to embrittlement, is reduced in the formation of particles, and can be prepared with no danger of explosion or the like.
(FR)L'invention porte sur une cible en siliciure de hafnium permettant de former un film d'oxyde de grille caractérisée en ce qu'il comprend une composition de HfSi0,82-0,98 et a une teneur en oxygène comprise entre 500 et 10000 ppm. L'invention porte également sur un procédé de préparation de la cible en siliciure de hafnium qui consiste à synthétiser une poudre ayant une composition de HfSi0,82-0,98, pulvériser la poudre de 100 meshs ou moins et soumettre la poudre obtenue à une pression à chaud ou à une pression hydrostatique à chaud entre 1700 et 2120 °C sous 150 à 2000 kgf/cm2. La cible en siliciure de hafnium est appropriée pour former un film HfSiO et un film HfSiON qui peut être utilisé comme film isolant pour grille à diélectrique élevé dont les caractéristiques conviennent pour être utilisé à la place d'un film SiO2 et d'un film SiON. Cette cible présente une excellente résistance à la friabilité, a une formation de particules réduite et peut être préparée sans danger d'explosion ou analogue.
(JA)HfSi0.82-0.98からなり、酸素含有量が500~10000ppmであることを特徴とするゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットに関する。HfSi0.82-0.98からなる組成の粉末を合成し、これを100メッシュ以下に粉砕したものを1700℃~2120℃、150~2000kgf/cm2で、ホットプレス又は熱間静水圧プレス(HIP)することによりゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットを製造する。SiO2膜及びSiON膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるHfSiO膜及びHfSiON膜の形成に好適であり、耐脆化性に富み、パーティクルの発生が少なく、かつターゲット製造工程における発火、爆発等の危険のないハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を得る。
指定国: CN, JP, KR, SG, US.
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)