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1. (WO2004015791) 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/015791    国際出願番号:    PCT/JP2003/009824
国際公開日: 19.02.2004 国際出願日: 01.08.2003
予備審査請求日:    31.08.2004    
IPC:
G01R 33/09 (2006.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHBA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HOSOMI, Masanori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
BESSHO, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIZUGUCHI, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIGO, Yutaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAMOTO, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SONE, Takeyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KANO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OHBA, Kazuhiro; (JP).
HOSOMI, Masanori; (JP).
BESSHO, Kazuhiro; (JP).
MIZUGUCHI, Tetsuya; (JP).
HIGO, Yutaka; (JP).
YAMAMOTO, Tetsuya; (JP).
SONE, Takeyuki; (JP).
KANO, Hiroshi; (JP)
代理人: TSUNODA, Yoshisue; Shinjuku Bldg., 8-1, Nishishinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0023 (JP)
優先権情報:
2002/230367 07.08.2002 JP
発明の名称: (EN) MAGNETORESISTANT DEVICE AND MAGNETIC MEMORY DEVICE FURTHER COMME NTS
(FR) DISPOSITIF MAGNETO-RESISTANT ET DISPOSITIF A MEMOIRE MAGNETIQUE
(JA) 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
要約: front page image
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指定国: KR, US.
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)