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1. (WO2004015752) ウェーハの研磨方法及び装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/015752    国際出願番号:    PCT/JP2003/009658
国際公開日: 19.02.2004 国際出願日: 30.07.2003
IPC:
B24B 37/04 (2012.01), B24B 37/30 (2012.01), B24B 37/32 (2012.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TSUCHIYA, Toshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TSUCHIYA, Toshihiro; (JP)
代理人: ISHIHARA, Shoji; No.302, Wakai Bldg., 7-8, Higashi-Ikebukuro 3-chome, Toshima-ku, Tokyo 170-0013 (JP)
優先権情報:
2002-232693 09.08.2002 JP
発明の名称: (EN) METHOD AND APPARATUS FOR POLISHING WAFER
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE POLISSAGE D'UNE TRANCHE
(JA) ウェーハの研磨方法及び装置
要約: front page image
(EN)A method and apparatus for polishing a wafer, in which method and apparatus face drops caused by polishing is prevented from occurring and which is capable of producing a wafer with high flatness, particularly, a SOI wafer. The polishing method uses a polishing apparatus that has a rotatable surface plate on the upper face of which abrasive cloth is bonded, and a polishing head provided in a manner opposed to the surface plate and having a wafer holding device. The apparatus performs polishing by pressing the surface of a wafer to the abrasive cloth with the back face of the wafer held on a holding face of the wafer holding device. The polishing method has a polishing step where the surface of the wafer is polished to a total polish margin without changing the polishing apparatus. The method is formed of plural divisional polishing steps that are the divisions of the polishing step, and a holding position of the wafer in late divisional polishing steps is changed to a position different from a holding position in early divisional polishing steps.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil de polissage d'une tranche destinés à éviter que ne se produisent les chutes causées par le polissage, et permettant d'obtenir une tranche très plate, en particulier une tranche SOI. Le procédé de polissage consiste à utiliser un appareil de polissage présentant une plaque de surface rotative sur la face supérieure de laquelle est fixé un tissu abrasif, et une tête de polissage opposée à la surface plate et comprenant un dispositif de support de tranche. L'appareil effectue le polissage par compression de la surface d'une tranche contre le tissu abrasif, avec la face arrière de la tranche sur une face de support du dispositif de support de la tranche. Le procédé de polissage comprend une étape de polissage au cours de laquelle la surface de la tranche est polie sur une marge de polissage totale sans changer l'appareil de polissage. Le procédé comprend plusieurs sous-étapes de polissage dans l'étape de polissage, et la position de support de la tranche est modifiée dans les dernières sous-étapes de polissage et différente de la position de support des premières sous-étapes de polissage.
(JA)本発明は、研磨による面ダレを防止し平坦度の高いウエーハ、特にSOIウエーハの製造ができるウエーハの研磨方法及び装置を提供する。本発明は、上面に研磨布を貼付した回転可能な定盤と、該定盤に相対向して設けられウエーハ保持盤を備えた研磨ヘッドとを有し、該ウエーハ保持盤の保持面にウエーハの裏面を保持し該ウエーハの表面を該研磨布に押圧して研磨する研磨装置を用い、該研磨装置を変えることなく所定の総研磨代まで該ウェーハの表面を研磨する研磨工程を有する研磨方法であって、前記研磨工程を複数段の分割研磨工程に分割して構成し、後段の分割研磨工程における前記ウエーハの保持位置を前段の分割研磨工程における前記ウエーハの保持位置とは異なる位置に変更するようにした。
指定国: CN, KR, US.
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)