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1. (WO2004013927) 高周波回路
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/013927    国際出願番号:    PCT/JP2003/010008
国際公開日: 12.02.2004 国際出願日: 06.08.2003
IPC:
H01P 1/15 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FURUTA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FURUTA, Takeshi; (JP)
代理人: NAKAMURA, Tomoyuki; c/o Miyoshi International Patent Office, 9th Floor, Toranomon Daiichi Building, 2-3, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
優先権情報:
2002/228188 06.08.2002 JP
発明の名称: (EN) HIGH FREQUENCY CIRCUIT
(FR) CIRCUIT HAUTE FREQUENCE
(JA) 高周波回路
要約: front page image
(EN)If an RF signal is to be blocked using only the closing and opening of an FET, it would increase the path loss for a high frequency range during ON state, while it could not provide a sufficient isolation for the high frequency range during OFF state. A high frequency circuit has shunt circuits between a high frequency transmission path (13) and the GND. For example, the high frequency circuit has two shunt circuits (11,12) that include active elements (14,15) and impedance elements (L1,L2,C). These shut circuits (11,12) form a parallel resonant circuit constituted by the impedance elements (L1,C) during ON state of the active elements (14,15) and form a serial resonant circuit constituted by the impedance elements (C,L2) during OFF state of the active elements (14,15) .
(FR)Si un signal RF devait être bloqué uniquement par la fermeture et l'ouverture d'un FET, ceci augmenterait les pertes de trajet pour une plage haute fréquence pendant un état de marche (ON), et ne pourrait pas isoler suffisamment la plage haute fréquence pendant un état d'arrêt (OFF). Un circuit haute fréquence comprend des circuits dérivés entre un chemin (13) de transmission haute fréquence et la terre (GND). Par exemple, le circuit haute fréquence comprend deux circuits dérivés (11, 12) qui comprennent des éléments actifs (14, 15) et des éléments d'impédance (L1, L2, C). Ces circuits dérivés (11, 12) forment un circuit résonnant parallèle constitué par les éléments d'impédance (L1, C) pendant un état de marche des éléments actifs (14, 15) et forment un circuit résonnant série constitué par les éléments d'impédance (C, L2) pendant l'état d'arrêt des éléments actifs (14, 15).
(JA) FETの開閉のみでRF信号を遮断しようとすると、高周波領域においては、ON時の経路ロスが大きくなり、またOFF時に十分なアイソレーションを確保できなくなる。 高周波伝送経路13とGNDとの間にシャント回路を有する高周波回路において、能動素子14,15およびインピーダンス素子(L1,L2,C)を含む例えば2つのシャント回路11,12を有し、これらシャント回路11,12が、各々の能動素子14,15のON時にインピーダンス素子(L1,C)による並列共振回路を、OFF時にインピーダンス素子(C,L2)による直列共振回路をそれぞれ形成するようにする。
指定国: US.
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)