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1. (WO2004013912) III族窒化物半導体基板及びその製造方法、並びにIII族窒化物半導体素子及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/013912    国際出願番号:    PCT/JP2003/009802
国際公開日: 12.02.2004 国際出願日: 01.08.2003
予備審査請求日:    01.08.2003    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 29/04 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01), H01S 5/02 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 108-8001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMAGUCHI, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMAGUCHI, Atsushi; (JP)
代理人: HAMADA, Haruo; Wisdom House, 4-12, Minami-Aoyama 3-chome, Minato-ku, Tokyo 107-0062 (JP)
優先権情報:
2002-225342 01.08.2002 JP
発明の名称: (EN) III GROUP NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF, AND III GROUP NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR A NITRURE DU GROUPE III ET SON PROCEDE DE PREPARATION, ET ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR A NITRURE DU GROUPE III ET SON PROCEDE DE PREPARATION
(JA) III族窒化物半導体基板及びその製造方法、並びにIII族窒化物半導体素子及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A III group nitride semiconductor element which comprises a III group nitride semiconductor substrate and, formed on the (000-1) face thereof, a metal electrode being less prone to exfoliation and exhibiting low resistance; and a method for preparing the semiconductor element which comprises etching the (000-1) face of an n-type GaN substrate (101), to form on the face a plurality of projections (113) having a facet face wherein a crystal face other than the (000-1) face is exposed, and then carrying out the vapor deposition of a metal such as Ti or Al onto the (000-1) face of the n-type GaN substrate (101) having projections (113), followed by a heat treatment.
(FR)L'invention concerne un élément semi-conducteur à nitrure du groupe III qui comprend un substrat semi-conducteur à nitrure du groupe III, et sur la surface (000-1) correspondante est formée une électrode métallique moins prédisposée à l'exfoliation et présentant une résistance faible. Cette invention a aussi trait à un procédé de préparation de l'élément semi-conducteur consistant à graver la surface (000-1) d'un substrat GaN de type N (101) pour former sur la surface une pluralité de protubérances (113) dotées d'une face de facette, une surface cristalline autre que la surface (000-1) étant exposée, puis, à réaliser le dépôt en phase vapeur d'un métal tel que Ti ou Al sur la surface (000-1) du substrat GaN de type N (101) pourvue de protubérances (113) et, enfin, à effectuer un traitement thermique.
(JA)III族窒化物半導体基板の(000−1)面上に、剥離しにくく、かつ低抵抗な金属電極を備えたIII族窒化物半導体素子を実現する。n型GaN基板101の(000−1)面上に、エッチングすることにより、(000−1)面以外の結晶面が露出したファセット面を有する複数の突起部113を設ける。その後、Ti、Al等の金属を突起部113が形成されたn型GaN基板101の(000−1)面上に蒸着させ、熱処理を行う。
指定国: CN, US.
欧州特許庁(EPO) (DE).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)