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1. (WO2004013904) アライメントマークを有する相補分割マスク、該相補分割マスクのアライメントマークの形成方法、該相補分割マスクを使用して製造される半導体デバイス、及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/013904    国際出願番号:    PCT/JP2003/009926
国際公開日: 12.02.2004 国際出願日: 05.08.2003
IPC:
G03F 1/20 (2012.01), G03F 1/68 (2012.01), G03F 7/20 (2006.01), G03F 9/00 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NOUDO, Shinichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AMAI, Keiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NOUDO, Shinichiro; (JP).
AMAI, Keiko; (JP)
代理人: NAKAMURA, Tomoyuki; c/o Miyoshi International Patent Office, 9th Floor, Toranomon Daiichi Building, 2-3, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
優先権情報:
2002-227670 05.08.2002 JP
発明の名称: (EN) COMPLEMENTARY DIVISION MASK HAVING ALIGNMENT MARK, METHOD FOR FORMING ALIGNMENT MARK OF THE COMPLEMENTARY DIVISION MASK, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY USING THE COMPLEMENTARY DIVISION MASK, AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) MASQUE DE DIVISION COMPLEMENTAIRE A REPERE D'ALIGNEMENT, PROCEDE DE FORMATION DE REPERE D'ALIGNEMENT DE MASQUE DE DIVISION COMPLEMENTAIRE, DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR FABRIQUE AU MOYEN DUDIT MASQUE DE DIVISION COMPLEMENTAIRE, ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) アライメントマークを有する相補分割マスク、該相補分割マスクのアライメントマークの形成方法、該相補分割マスクを使用して製造される半導体デバイス、及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Conventionally, a plurality of complementary division masks having an alignment mark are used to manufacture a semiconductor having patterns of layers, frequently causing misaligment of the layers. According to the invention, division alignment marks (M1a, M2a, M3a, M4a) are formed in complementary division areas corresponding to the respective complementary division masks (B1, B2, B3, B4) produced by dividing a stencil mask. By apportioning the alignment marks to the complementary division masks, the misalignments of the masks are averaged, thereby providing a semiconductor device free of much misalignment between the patterns of adjacent layers.
(FR)En général, plusieurs masques de division complémentaires possédant un repère d'alignement sont utilisés pour la fabrication d'un semiconducteur à motifs de couches, ce qui occasionne souvent un mauvais alignement des couches. Selon l'invention, des repères d'alignement de division (M1a, M2a, M3a, M4a) sont formés dans les zones de division complémentaire correspondant aux masques de division complémentaire respectifs (B1, B2, B3, B4) produits par la division d'un masque pochoir. En répartissant les repères d'alignement sur les masques de division complémentaire, les défauts d'alignement des masques sont moyennés, ce qui permet la production d'un dispositif à semiconducteur présentant peu de défauts d'alignement entre les motifs des couches adjacentes.
(JA)アライメントマークを有する相補分割マスクを使用して複数レイヤのパターンを有する半導体デバイスを形成する際に、相補分割マスクが複数枚存在するため、各レイヤ間のアライメントが不良になりやすい。ステンシルマスクを複数に分割した相補分割マスク(B1、B2、B3、B4)のそれぞれに対応する相補分割領域に分割アライメントマーク(M1a、M2a、M3a、M4a)を形成する。各相補分割マスクにアライメントマークを分配することにより各マスク間の位置ズレが平均化し、隣接するレイヤのパターン間に大きな位置ズレのない半導体デバイスが得られる。
指定国: KR, US.
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)