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1. (WO2004012252) 絶縁膜の形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/012252    国際出願番号:    PCT/JP2003/009696
国際公開日: 05.02.2004 国際出願日: 30.07.2003
予備審査請求日:    10.02.2004    
IPC:
H01L 21/3105 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HONGOH, Toshiaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HOSHINO, Satohiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HONGOH, Toshiaki; (JP).
HOSHINO, Satohiko; (JP)
代理人: AOKI, Atsushi; A. AOKI, ISHIDA & ASSOCIATES, Toranomon 37 Mori Bldg., 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8423 (JP)
優先権情報:
2002-221585 30.07.2002 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING INSULATING LAYER
(FR) PROCEDE DE REALISATION DE COUCHE ISOLANTE
(JA) 絶縁膜の形成方法
要約: front page image
(EN)A method for forming an insulating layer, which comprises irradiating a film containing a curable material provided on a substrate for an electronic device with a low energy plasma, to thereby cure said film containing a curable material. The method can be employed for forming an elctroconductive film having high quality, while preventing the application of an excessive thermal budget on the film.
(FR)L'invention concerne un procédé de réalisation de couche isolante, qui consiste à irradier un film contenant un matériau durcissable établi sur un substrat pour un dispositif électronique à plasma de faible énergie, ce qui permet de durcir ledit film. On peut utiliser ce procédé pour réaliser un film électroconducteur de haute qualité, tout en empêchant l'application d'un budget thermique excessif sur le film.
(JA)電子デバイス用基材上に配置された硬化性材料含有膜に対して、低エネルギープラズマを照射して、該硬化性材料含有膜を硬化させる。過度な熱履歴が加わることを防止しつつ、しかも良質な絶縁膜を与えることができる絶縁膜の形成方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)