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1. (WO2004012247) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/012247    国際出願番号:    PCT/JP2003/008906
国際公開日: 05.02.2004 国際出願日: 14.07.2003
予備審査請求日:    28.11.2003    
IPC:
H01L 21/68 (2006.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
BANNAI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: BANNAI, Satoshi; (JP)
代理人: NAKAMURA, Tomoyuki; c/o Miyoshi International Patent Office, 9th Floor, Toranomon Daiichi Building, 2-3, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
優先権情報:
2002-220294 29.07.2002 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A method for manufacturing a semiconductor device wherein an ultra-thin semiconductor chip having a thickness of 50 μm or less is properly picked up and mounted. A protective tape (42) for use in back grinding is adhered to a surface of a wafer (40), and back grinding, wafer mounting and dicing are conducted as it is. Accordingly, the protective tape (42) adhered to the surface of the chip improves the fracture-resistant property of the chip, thereby preventing the chip from cracking or breaking during the pick-up and chip-mounting steps. After the mounting, the protective tape (42) is removed from the surface of the chip.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur dans lequel une tranche semi-conductrice ultramince de 50 $g(m)m au maximum est correctement saisie et montée. Une bande de protection (42) utilisée pour le meulage arrière est collée sur la surface d'une tranche (40) avant l'exécution des opérations de meulage arrière, de montage de tranche et de découpage en dés. La bande de protection (42) collée sur la surface de la tranche améliore les propriétés de résistance à la rupture de la tranche, ce qui l'empêche de se fissurer ou de se casser au moment de la préhension et du montage. Après montage, la bande de protection (42) est décollée de la surface de la tranche.
(JA)50μm以下の超薄型の半導体チップを適正にピックアップしマウントすることができる半導体装置の製造方法を提供する。ウェーハ(40)の表面に裏面研削用の保護テープ(42)を貼り付けた状態で、裏面研削、ウェーハマウントおよびダイシングの各工程を行う。これにより、チップ表面に貼り付けられた保護テープ(42)がチップ抗折性を向上させ、ピックアップ工程およびチップマウント工程においてチップの割れや欠けを防止する。マウント後は、チップ表面から保護テープ(42)を分離除去する。
指定国: CN, US.
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)