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1. (WO2004012199) 磁気ランダムアクセスメモリ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/012199    国際出願番号:    PCT/JP2003/009547
国際公開日: 05.02.2004 国際出願日: 28.07.2003
予備審査請求日:    28.07.2003    
IPC:
G11C 11/16 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 108-8001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUGIBAYASHI, Tadahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HONDA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKIMURA, Noboru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUTERA, Hisao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAMIJYOU, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMURA, Kenishi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MORI, Kaoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUGIBAYASHI, Tadahiko; (JP).
HONDA, Takeshi; (JP).
SAKIMURA, Noboru; (JP).
MATSUTERA, Hisao; (JP).
KAMIJYOU, Atsushi; (JP).
SHIMURA, Kenishi; (JP).
MORI, Kaoru; (JP)
代理人: KUDOH, Minoru; KADOYA BLDG., 6F, 24-10, Minamiooi 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 140-0013 (JP)
優先権情報:
2002-220161 29.07.2002 JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) MEMOIRE MAGNETIQUE A ACCES ALEATOIRE
(JA) 磁気ランダムアクセスメモリ
要約: front page image
(EN)A magnetic random access memory includes magnetic structures for memory cells provided at intersections of a plurality of first signal lines and a plurality of second signal lines arranged vertical to the first signal lines. Each of the memory cells includes a magnetoresistive element having a spontaneous magnetization layer whose magnetization direction is reversed by a magnetic field of a first threshold value function or above is applied. In each of the magnetic structures, a magnetic field generated by applying a magnetic field of a second threshold value function or above is stronger than a magnetic field generated by applying a magnetic field below the second threshold value. A first combined magnetic field generated by a selected first and second signal line is applied to the magnetic structure. The element application magnetic field generated by a second combined magnetic field of the first combined magnetic field and the magnetic structure magnetic field has an intensity equal to or greater than the first threshold value function for the selected memory cells and an intensity smaller the first threshold value function for the non-selected memory cells.
(FR)L'invention concerne une mémoire magnétique à accès aléatoire qui comprend des structures magnétiques destinées aux cellules de mémoire situées aux intersections d'une pluralité de premières lignes de signaux et d'une pluralité de secondes lignes de signaux disposées verticalement par rapport aux premières lignes de signaux. Chacune des cellules de mémoire comprend un élément magnétorésistif pourvu d'une couche de magnétisation spontanée dont la direction de magnétisation est inversée par un champ magnétique d'une fonction de première de valeur de seuil ou supérieure. Dans chacune des structures magnétiques, un champ magnétique produit par l'application d'un champ magnétique d'une fonction de seconde valeur de seuil ou supérieure est plus intense que le champ magnétique produit par l'application d'un champ magnétique inférieur à la seconde valeur de seuil. Un premier champ magnétique combiné produit par des première et seconde lignes sélectionnées est appliqué à la structure magnétique. Le champ magnétique d'application d'élément produit par un second champ magnétique combiné du premier champ magnétique combiné et par le champ magnétique de la structure magnétique est d'intensité égale ou supérieure à celle de la fonction de première valeur de seuil pour les cellules de mémoire sélectionnées, et d'intensité inférieure à celle de la fonction de première valeur de seuil pour les cellules de mémoire non sélectionnées.
(JA)not available
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)