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1. (WO2004011690) スパッタリングターゲット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/011690    国際出願番号:    PCT/JP2003/009096
国際公開日: 05.02.2004 国際出願日: 17.07.2003
予備審査請求日:    19.12.2003    
IPC:
C23C 14/34 (2006.01)
出願人: BRIDGESTONE CORPORATION [JP/JP]; 10-1, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 104-8340 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KUMAGAI, Sho [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ODAKA, Fumio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ENDO, Shigeki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KUMAGAI, Sho; (JP).
ODAKA, Fumio; (JP).
ENDO, Shigeki; (JP)
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1050001 (JP)
優先権情報:
2002-221652 30.07.2002 JP
2003-170984 16.06.2003 JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVERISATION
(JA) スパッタリングターゲット
要約: front page image
(EN)A sputtering target which is formed from a material comprising silicon carbide and silicon, and has a volume percentage of silicon carbide of 50 to 70 %, wherein the volume percentage of silicon carbide is represented by the formula: volume percentage of silicon carbide (%) = total volume of silicon carbide/(total volume of silicon carbide + total volume of silicon) X 100. The sputtering target allows the adjustment over a widened range of the refractive index of the resultant coating layer through the control of the flow rate of an oxygen gas or a nitrogen gas or the control of the electric power to be infused.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation constituée d'une matière comprenant du carbure de silicium et du silicium, et présentant un pourcentage en volume de carbure de silicium de 50 à 70 %. Ce pourcentage en volume de carbure de silicium est représenté par la formule suivante : pourcentage en volume de carbure de silicium (%) = volume total de carbure de silicium/(volume total de carbure de silicium + volume total de silicium) x 100. Cette cible de pulvérisation permet un réglage sur une plage élargie de l'indice de réfraction de la couche de revêtement obtenue, par le biais de la commande du débit d'oxygène gazeux ou d'azote gazeux, ou par le biais de la commande de la puissance électrique à perfuser.
(JA)炭化ケイ素とケイ素を含有する材料から形成され、かつ炭化ケイ素の体積比率(%)=炭化ケイ素の全体積/(炭化ケイ素の全体積+ケイ素の全体積)×100とした場合の炭化ケイ素の体積比率が50%~70%であるスパッタリングターゲット。酸素ガスもしくは窒素ガスの流量の制御又は投入電力の制御により被覆層の屈折率を広い範囲で調整可能なスパッタリングターゲットが提供される。
指定国: JP, KR, US.
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)