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1. (WO2004010487) 半導体用研磨剤、その製造方法及び研磨方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/010487    国際出願番号:    PCT/JP2003/009259
国際公開日: 29.01.2004 国際出願日: 22.07.2003
予備審査請求日:    21.01.2004    
IPC:
C09G 1/02 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/321 (2006.01), H05K 3/26 (2006.01)
出願人: SEIMI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 3-2-10, Chigasaki, Chigasaki-shi, Kanagawa 253-8585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8405 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KON, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAZAWA, Norihito [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIDA, Chie [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KON, Yoshinori; (JP).
NAKAZAWA, Norihito; (JP).
ISHIDA, Chie; (JP)
代理人: SENMYO, Kenji; Torimoto Kogyo Bldg., 38, Kanda-Higashimatsushitacho, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0042 (JP)
優先権情報:
2002-212679 22.07.2002 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ABRASIVE, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD OF POLISHING
(FR) ABRASIF POUR SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDE DE PRODUCTION DE CELUI-CI ET PROCEDE DE POLISSAGE
(JA) 半導体用研磨剤、その製造方法及び研磨方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor abrasive comprising cerium oxide abrasive grains, water and an additive wherein the additive is an anionic surfactant or water-soluble organic polymer, such as ammonium polyacrylate, and the pH value at 25ºC is in the range of 3.5 to 6 and wherein the concentration of additive is in the range of 0.01 to 0.5% based on the total mass of abrasive. This abrasive simultaneously exhibits dispersion stability, excellent scratch property and excellent polishing planarization characteristics. In particular, this abrasive realizes excellent polishing planarization characteristics having reduced dishing dispersion at the polishing of a semiconductor substrate comprising silicon base plate (1) and, superimposed thereon, silicon nitride film (3) and silicon oxide film (2). Further, the time required for pattern wafer polishing can be reduced by the use of this abrasive.
(FR)L'invention concerne un abrasif pour semi-conducteur comprenant des grains abrasifs d'oxyde de cérium, de l'eau et un additif qui est un tensioactif anionique ou un polymère organique soluble dans l'eau, tel que le polyacrylate d'ammonium, et la valeur du pH à 25 °C étant comprise dans la gamme allant de 3,5 à 6 et la concentration de l'additif étant comprise dans la gamme allant de 0,01 à 0,5 % en fonction de la masse totale de l'abrasif. Cet abrasif présente de manière simultanée une stabilité à la dispersion, une excellente propriété abrasive et d'excellentes caractéristiques de planarisation par polissage. Plus précisément, cet abrasif permet d'obtenir d'excellentes caractéristiques de planarisation par polissage à dispersion déportée réduite au moment du polissage d'un substrat semi-conducteur comprenant une plaque de base de silicium (1) et un film de nitrure de silicium (3) et un film d'oxyde de silicium (2) superposés sur ladite plaque. De plus, l'utilisation de cet abrasif permet de réduire le temps nécessaire au polissage d'une plaquette à motifs.
(JA)酸化セリウム砥粒、水及び添加剤を含む半導体用研磨剤であって、前記添加剤は、例えばポリアクリル酸アンモニウム等の水溶性有機高分子又は陰イオン性界面活性剤であり、25℃におけるpHが3.5~6であり、かつ添加剤の濃度が研磨剤全質量の0.01~0.5%である半導体用研磨剤を提供する。この研磨剤は、分散安定性、優れたスクラッチ特性、及び優れた研磨の平坦化特性を同時に備えている。特に、この研磨剤は、シリコン基板1上にシリコン窒化膜3とシリコン酸化膜2が形成された半導体基板を研磨する場合にディッシングのバラツキが少ない優れた研磨の平坦化特性が得られ、また、この研磨剤を使用すると、パターンウェハの研磨時間を短縮できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)