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1. (WO2004008595) 分布ブラッグ反射型半導体レーザ、集積型半導体レーザ、半導体レーザモジュール、光ネットワークシステム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/008595    国際出願番号:    PCT/JP2003/008976
国際公開日: 22.01.2004 国際出願日: 15.07.2003
予備審査請求日:    15.07.2003    
IPC:
H01S 5/026 (2006.01), H01S 5/125 (2006.01), H04B 10/07 (2013.01), H04B 10/27 (2013.01), H04B 10/40 (2013.01), H04B 10/50 (2013.01), H04B 10/60 (2013.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 108-8001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HATAKEYAMA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HATAKEYAMA, Hiroshi; (JP)
代理人: MARUYAMA, Takao; c/o MARUYAMA PATENT OFFICE, SAM Build. 3floor, 38-23, Higashi-Ikebukuro 2-chome, Toshima-ku, Tokyo 170-0013 (JP)
優先権情報:
2002-208138 17.07.2002 JP
発明の名称: (EN) DISTRIBUTION BRAGG REFLECTION SEMICONDUCTOR LASER, INTEGRATED SEMICONDUCTOR LASER, SEMICONDUCTOR LASER MODULE, OPTICAL NETWORK SYSTEM
(FR) LASER A SEMI-CONDUCTEUR ET REFLECTEUR DE BRAGG REPARTI, LASER A SEMI-CONDUCTEUR INTEGRE, MODULE DE LASER A SEMI-CONDUCTEUR ET SYSTEME DE RESEAU OPTIQUE
(JA) 分布ブラッグ反射型半導体レーザ、集積型半導体レーザ、半導体レーザモジュール、光ネットワークシステム
要約: front page image
(EN)A semiconductor laser capable of obtaining mode stability and high optical output and having a wide wavelength tuning range. A distribution Bragg reflection semiconductor laser (DB R-LD) includes a gain area (3), a phase area (2), and a DBR (1). The DBR (1) and the phase area (2) are single lateral mode waveguides while the gain area (3) is composed of a single lateral mode waveguide (3a) and a multi-mode interference type waveguide (3b). By using the MMI waveguide (3b), light coming from the single mode waveguide (3a) is output to the single mode waveguide (3a) at the other end with a significantly low loss by the interference effect. By arranging the MMI waveguide (3b) in the gain area (3) of the DBR-LD which is a single-axis mode light source, it is possible to reduce the length of the gain area (3) and increase the mode stability without lowing the optical output.
(FR)L'invention se rapporte à un laser à semi-conducteur pouvant présenter une stabilité modale et une sortie optique élevée et possédant une large plage d'accords en longueur d'onde. Cette invention concerne en outre un laser à semi-conducteur et réflecteur de Bragg réparti (DBR-LD) comprenant une zone de gain (3), une zone de phase (2) ainsi qu'un réflecteur de Bragg réparti (DBR) (1). Ce DBR (1) ainsi que la zone de phase (2) se présentent sous la forme de guides d'ondes à mode latéral unique tandis que la zone de gain (3) est composée d'un guide d'ondes à mode latéral unique (3a) ainsi que d'un guide d'ondes à interférences multimodales (MMI) (3b). Ce guide d'ondes de type MMI (3b) permet de faire sortir de la lumière provenant d'un guide d'ondes à mode latéral unique (3a) au niveau de l'autre extrémité d'un guide d'ondes à mode latéral unique (3a), avec une perte significativement faible liée aux effets d'interférence. Si l'on dispose le guide d'ondes de type MMI (3b) dans la zone de gain (3) du DBR-LD qui se présente sous la forme d'une source lumineuse à mode monoaxial, il est possible de diminuer la longueur de la zone de gain (3) et d'accroître la stabilité modale sans réduire la sortie optique.
(JA)モード安定性と高光出力を両立し、波長チューニング範囲の広い半導体レーザを提供する。 利得領域3と、位相領域2と、DBR1とからなる分布ブラッグ反射型半導体レーザ(DBR−LD)において、DBR1と位相領域2は単一横モード導波路であり、利得領域3は、単一横モード導波路3aと多モード干渉型導波路3bにより構成されている。MMI導波路3bによると、単一モード導波路3aから入射した光が、干渉効果によってきわめて低損失で他端の単一モード導波路3aに出力される。単一軸モード光源であるDBR−LDの利得領域3にMMI導波路3bを導入することにより、光出力を低下させることなく利得領域3の長さを短くでき、モード安定性を高められる。
指定国: CN, US.
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)