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1. (WO2004008594) 光半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/008594    国際出願番号:    PCT/JP2003/008859
国際公開日: 22.01.2004 国際出願日: 11.07.2003
IPC:
H01L 23/48 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 29/40 (2006.01), H01S 5/022 (2006.01), H01S 5/042 (2006.01), H04B 10/07 (2013.01), H04B 10/2507 (2013.01), H04B 10/40 (2013.01), H04B 10/50 (2013.01), H04B 10/60 (2013.01)
出願人: MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8310 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ARUGA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KANEKO, Shinichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAI, Kiyohide [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ARUGA, Hiroshi; (JP).
KANEKO, Shinichi; (JP).
SAKAI, Kiyohide; (JP)
代理人: SAKAI, Hiroaki; Tokyo Club Building, 2-6, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0013 (JP)
優先権情報:
2002-204782 12.07.2002 JP
発明の名称: (EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE
(JA) 光半導体装置
要約: front page image
(EN)The device comprising a first conduction line connected to one end of an optical semiconductor element (20) for supplying an electrical signal to the optical semiconductor element (20); a second conduction line connected to the other end of the optical semiconductor element (20) for supplying an electrical signal to the optical semiconductor element (20); a first inductance element (21a) connected to the one end of the optical semiconductor element (20) for blocking an electric signal of high frequency; and a second inductance element (21b) connected to the other end of the optical semiconductor element (20) for blocking an electric signal of high frequency, wherein the first and second conduction lines constitute a differential line.
(FR)L'invention concerne un dispositif comprenant une première ligne conductrice connectée à une extrémité à un élément semi-conducteur (20) optique afin de fournir un signal électrique à cet élément (20) ; une deuxième ligne conductrice connectée à l'autre extrémité de l'élément (20) semi-conducteur optique pour fournir un signal électrique à cet élément (20) ; un premier élément d'inductance (21a) connecté à une extrémité de l'élément (20) semi-conducteur pour bloquer un signal électrique haute fréquence ; et un deuxième élément d'inductance (21b) connecté à l'autre extrémité de l'élément (20) semi-conducteur pour bloquer un signal électrique haute fréquence. La première et la deuxième ligne conductrices forment une ligne différentielle.
(JA)光半導体素子(20)の一端に接続され、この光半導体素子(20)に電気信号を供給する第1の導体線路と、光半導体素子(20)の他端に接続され、この光半導体素子(20)に電気信号を供給する第2の導体線路と、光半導体素子(20)の一端に接続され、高周波の電気信号を遮断する第1のインダクタンス素子(21a)と、光半導体素子(20)の他端に接続され、高周波の電気信号を遮断する第2のインダクタンス素子(21b)とを備え、第1、第2の導体線路が差動線路を成す。
指定国: CA, US.
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)