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1. (WO2004007401) 炭化ケイ素基複合材料とその製造方法、および炭化ケイ素基複合材料部品の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/007401    国際出願番号:    PCT/JP2003/007700
国際公開日: 22.01.2004 国際出願日: 18.06.2003
予備審査請求日:    12.12.2003    
IPC:
C04B 35/573 (2006.01), C04B 37/00 (2006.01)
出願人: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUYAMA, Shoko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAMEDA, Tsuneji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ITOH, Yoshiyasu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUYAMA, Shoko; (JP).
KAMEDA, Tsuneji; (JP).
ITOH, Yoshiyasu; (JP)
代理人: SUYAMA, Saichi; Kanda Higashiyama Bldg., 1, Kandata-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0046 (JP)
優先権情報:
2002-176680 18.06.2002 JP
2002-190588 28.06.2002 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE MATRIX COMPOSITE MATERIAL, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME AND PROCESS FOR PRODUCING PART OF SILICON CARBIDE MATRIX COMPOSITE MATERIAL
(FR) MATERIAU COMPOSITE A MATRICE EN CARBURE DE SILICIUM, SON PROCEDE DE PRODUCTION, ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE PIECE EN UN TEL MATERIAU
(JA) 炭化ケイ素基複合材料とその製造方法、および炭化ケイ素基複合材料部品の製造方法
要約: front page image
(EN)Silicon carbide matrix composite material (1) comprising silicon carbide matrix (2) as a host. The silicon carbide matrix (2) comprises first silicon carbide phase (3) of 0.1 to 10 μm average crystal grain diameter and second silicon carbide phase (4) of 0.01 to 2 μm average crystal grain diameter. In interstices of silicon carbide crystal grains constituting the silicon carbide matrix (2), liberated silicon phase (5) amounting to, for example, 5 to 50 wt.% based on the composite material (1) is present continuously in network form. This fine structure enables realizing high strength and high toughness of the silicon carbide composite material (1).
(FR)L'invention concerne un matériau composite à matrice en carbure de silicium (1) comprenant une matrice en carbure de silicium (2) en tant qu'hôte. La matrice en carbure de silicium (2) comprend une première phase carbure de silicium (3) de 0,1 à 10 $g(m)m de diamètre moyen des grains cristallins, et une seconde phase carbure de silicium (4) de 0,01 à 2 $g(m)m de diamètre moyen des grains cristallins. Dans les interstices des grains cristallins de carbure de silicium constituant la matrice au carbure de silicium (2), la phase silicium libre (5) s'élevant, par exemple, à 5 à 50 % en poids par rapport au matériau de base (1), est présente en continu sous forme d'un réseau. Cette structure fine permet d'obtenir une résistance mécanique élevée et une résistance aux chocs élevée du matériau composite au carbure de silicium (1).
(JA) 炭化ケイ素基複合材料1は、その母体となる炭化ケイ素マトリックス2を具備する。炭化ケイ素マトリックス2は、平均結晶粒径が0.1~10μmの第1の炭化ケイ素相3と、平均結晶粒径が0.01~2μmの第2の炭化ケイ素相4とを有する。炭化ケイ素マトリックス2を構成する炭化ケイ素結晶粒の隙間には、例えば複合材料1に対して5~50質量%の遊離シリコン相5がネットワーク状に連続して存在している。このような微構造によって、炭化ケイ素基複合材料1を高強度・高靭性化することが可能となる。
指定国: US.
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)