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1. (WO2004006312) III族窒化物半導体基板およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2004/006312    国際出願番号:    PCT/JP2003/008360
国際公開日: 15.01.2004 国際出願日: 01.07.2003
予備審査請求日:    01.07.2003    
IPC:
C23C 16/01 (2006.01), C23C 16/30 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 108-8001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HITACHI CABLE, LTD. [JP/JP]; 6-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8166 (JP) (米国を除く全ての指定国).
USUI, Akira [JP/JP]; (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHIBATA, Masatomo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OSHIMA, Yuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SHIBATA, Masatomo; (JP).
OSHIMA, Yuichi; (JP)
代理人: MIYAZAKI, Teruo; 8th Floor, 16th Kowa Bldg., 9-20, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 107-0052 (JP)
優先権情報:
2002-193733 02.07.2002 JP
発明の名称: (EN) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE DU GROUPE III ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
(JA) III族窒化物半導体基板およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A group III nitride semiconductor substrate low in defect density and less in warp and its manufacturing method are disclosed. The manufacturing process comprises a sequence of steps of forming a metal Ti film (63) on a sapphire substrate (61), performing nitriding, forming a TiN film (64) having pores, growing an HVPE-GaN layer (66) in which voids (65) are formed by the action of the metal Ti film (63) and the TiN film (64), and separating and removing the sapphire substrate (61) from the portion including the voids (65).
(FR)L'invention concerne un substrat semi-conducteur en nitrure du groupe III avec une densité faible de défauts et moins de gauchissement, ainsi que son procédé de fabrication. Ce procédé consiste à former un film de Ti métallique (63) sur un substrat en saphir (61), à réaliser une nitruration, à former un film de TiN (64) comportant des pores, à faire croître une couche de HVPE-GaN (66) dans laquelle des manques (65) sont formés par l'action du film en Ti métallique (63) et du film de TiN (64), et à séparer et à éliminer le substrat en saphir (61) de la portion comprenant les manques (65).
(JA)本発明は、欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板、ならびにその製造方法を提供し、例えば、本発明にかかる製造プロセスは、下記する一連の工程を含む:サファイア基板61上に金属Ti膜63を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するTiN膜64を形成する;その後、HVPE−GaN層66を成長する;金属Ti膜63およびTiN膜64の作用により、HVPE−GaN層66中には空隙65が形成される;この空隙65の箇所からサファイア基板61を剥離除去する。
指定国: CN, US.
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)