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1. (WO2002041409) SOLAR CELL USING A CONTACT FRAME AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2002/041409 国際出願番号: PCT/DE2001/004332
国際公開日: 23.05.2002 国際出願日: 16.11.2001
予備審査請求日: 11.06.2002
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/05 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0224
電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
042
光電池のパネルまたは配列を含むもの,例.太陽電池
05
固有の相互接続に特徴のあるもの
出願人:
KÖNIG, Katharina [DE/DE]; DE (AllExceptUS)
KÖNIG, Dirk [DE/DE]; DE
発明者:
KÖNIG, Dirk; DE
優先権情報:
100 57 297.917.11.2000DE
発明の名称: (DE) SOLARZELLE UNTER VERWENDUNG EINES KONTAKTRAHMENS UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) SOLAR CELL USING A CONTACT FRAME AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) CELLULE SOLAIRE METTANT EN OEUVRE UN CADRE DE CONTACT ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
要約:
(DE) Solarzelle mit einem Kontaktrahmen und Verfahren zu deren HerstellungDie Erfindung betrifft eine Solarzelle mit einem Kontaktrahmen, im wesentlichen bestehend aus: a) einer Halbleiterschicht (HLS) als Basismaterial, b) einer sich unmittelbar unter der Oberfläche der aktiven Halbleiterschicht (HLS) befindenden elektrisch hoch leitfähigen Halbleiterschicht (HL-HLS), einer sich auf der aktiven Halbleiterschicht (HLS) befindenden Isolatorschicht (IS), c) einer zur Halbleiterschicht (HLS) isolierten Metallschicht (MS), die über Kontakte (K) elektrisch gut leitend mit der hoch leitfähigen Halbleiterschicht (HL-HLS) verbunden ist, wobei d) die Metallschicht als Kontaktrahmen ausgebildet ist, an dem sich die Kontakte befinden Erfindungsgemäss weist die elektrisch hoch leitfähige Halbleiterschicht (HL-HLS) keine Verbindung zur Seitenfläche (SF) der Solarzelle auf. Verfahrensgemäss erfolgt dazu eine Höhenreduzierung der aktiven Halbleiterschicht (HLS), so dass die elektrisch hoch leitfähige Halbleiterschicht (HL-HLS) nicht bis zur Seitenfläche (SF) der Halbleiterschicht (HLS) reicht.
(EN) The invention relates to a solar cell with a contact frame and to a method for the production thereof. Said solar cell with a contact frame is essentially comprised of: a) a semiconductor layer (HLS) serving as base material; b) an electrically highly conductive semiconductor layer (HL-HLS) located directly beneath the surface of the active semiconductor layer (HLS), of an insulation layer (IS) located on the active semiconductor layer (HLS); c) a metal layer (MS) insulated from the semiconductor layer (HLS), connected electrically in a highly conductive manner to the highly conductive semiconductor layer (HL-HLS), by means of contacts (K), whereby; d) the metal layer is provided in the form of a contact frame, on which the contacts are located. According to the invention, the electrically highly conductive semiconductor layer (HL-HLS) has no connection to the lateral surface (SF) of the solar cell. The inventive method results in a height reduction of the active semiconductor layer (HLS) so that the electrically highly conductive semiconductor layer (HL-HLS) does not extend up to the lateral surface (SF) of the semiconductor layer (HLS).
(FR) La présente invention concerne une cellule solaire comprenant un cadre de contact. Cette cellule solaire est principalement constituée : a) d'une couche semi-conductrice (HLS) servant de matériau de base, b) d'une couche semi-conductrice hautement électro-conductrice (HL-HLS), qui se trouve immédiatement sous la surface de la couche semi-conductrice active (HLS), d'une couche isolante (IS), qui se trouve sur la couche semi-conductrice active (HLS), et c) d'une couche métallique (MS), qui est isolée par rapport à la couche semi-conductrice (HLS) et qui est connectée de manière bien électro-conductrice avec la couche semi-conductrice hautement électro-conductrice (HL-HLS), par l'intermédiaire de contacts (K), d) la couche métallique étant conçue sous forme de cadre de contact sur lequel se trouvent les contacts. Selon cette invention, la couche semi-conductrice hautement électro-conductrice (HL-HLS) ne présente aucune connexion à la surface latérale (SF) de la cellule solaire. La présente invention concerne également un procédé permettant de réduire la hauteur de la couche semi-conductrice active (HLS), de façon que la couche semi-conductrice hautement électro-conductrice (HL-HLS) n'atteigne pas la surface latérale (SF) de la couche semi-conductrice (HLS).
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: ドイツ語 (DE)
国際出願言語: ドイツ語 (DE)
また、:
AU2002226273