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国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2001/001471 国際出願番号: PCT/US2000/016556
国際公開日: 04.01.2001 国際出願日: 14.06.2000
予備審査請求日: 26.01.2001
IPC:
H01L 21/311 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3105
後処理
311
絶縁層のエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
出願人: LAM RESEARCH CORPORATION[US/US]; Building CA-1 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538, US
発明者: NI, Tuqiang; US
TRAN, Nancy; US
代理人: BROCK, Joe, A.; Hickman Stephens Coleman & Hughes, LLP P.O. Box 52037 Palo Alto, Ca 94303, US
KENNEDY, Bill; Oppenheimer Wolff & Donnelly, LLP P.O. Box 52037 Palo Alto, Ca 94303, US
優先権情報:
09/340,74328.06.1999US
発明の名称: (EN) A METHOD AND APPARATUS FOR SIDE WALL PASSIVATION FOR ORGANIC ETCH
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF SERVANT A PASSIVER DES PAROIS LATERALES POUR EXECUTER UNE GRAVURE DE COUCHE ORGANIQUE
要約:
(EN) A robust method for etching an organic low-k insulating layer on a semiconductor device, as disclosed herein, includes introducing into a processing chamber a substrate with an organic insulating layer and an overlying mask layer having an aperture. A plasma is then developed within the chamber from an oxidizing gas and a passivation gas. The passivation gas is preferably either a silicon containing gas or a boron containing gas, or both. The ratio of the oxidizing gas to the passivation gas is preferably at least 10:1. In addition, an inert carrier gas may be provided. The plasma is then used to etch the organic insulating layer through the mask layer, thereby forming a via having essentially vertical sidewalls in the organic low-k insulating layer.
(FR) Procédé élaboré servant à graver une couche isolante organique à constante diélectrique k basse sur un composant à semi-conducteur et consistant à introduire dans une chambre de traitement un substrat pourvu d'une couche isolante organique et d'une couche de masquage sus-jacente comportant une ouverture. On crée ensuite un plasma à l'intérieur de la chambre à partir d'un gaz d'oxydation et d'un gaz de passivation. Celui-ci est, de préférence, soit un gaz contenant silicium, soit un gaz contenant bore, ou les deux. Le rapport entre le gaz d'oxydation et le gaz de passivation est, de préférence, au moins 10 :1. De plus, un gaz porteur inerte peut être présent. On utilise ensuite le plasma afin de graver la couche isolante organique à travers le masque, ce qui permet d'obtenir un trou d'interconnexion possédant des parois latérales verticales dans la couche isolante organique à constante diélectrique k basse.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)