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1. (WO1998028745) NONVOLATILE WRITEABLE MEMORY WITH FAST PROGRAMMING CAPABILITY
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/1998/028745 国際出願番号: PCT/US1997/019209
国際公開日: 02.07.1998 国際出願日: 23.10.1997
予備審査請求日: 04.06.1998
IPC:
G11C 16/10 (2006.01) ,G11C 16/34 (2006.01)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
16
消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02
電気的にプログラム可能なもの
06
周辺回路,例.メモリへの書込み用
10
書込み回路またはデータ入力回路
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
16
消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02
電気的にプログラム可能なもの
06
周辺回路,例.メモリへの書込み用
34
書込み状態の決定,例.閾値電圧,過書込みまたは不十分な書込み,保持
出願人:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052, US
発明者:
HURTER, Andrew, J.; US
DOLLER, Edward, M.; US
代理人:
TAYLOR, Edwin, H. ; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025, US
優先権情報:
08/770,39720.12.1996US
発明の名称: (EN) NONVOLATILE WRITEABLE MEMORY WITH FAST PROGRAMMING CAPABILITY
(FR) MEMOIRE INSCRIPTIBLE REMANENTE A CAPACITE DE PROGRAMMATION RAPIDE
要約:
(EN) A method and apparatus provides capability for fast programming of a nonvolatile writeable memory. One or more memory cells of a block of memory cells of the nonvolatile writeable memory is programmed using no more than one program pulse. The memory cells of the block of memory cells having a threshold voltage in an intermediate region (62) below a programmed reference level (54) and above an erase reference level (50) are identified. These identified memory cells are programmed with one or more program pulses to raise the threshold voltage of the corresponding memory cell up to the programmed reference level (52).
(FR) Un procédé et un appareil présentent une capacité de programmation rapide d'une mémoire inscriptible rémanente. Une ou plusieurs cellules de mémoire d'un bloc de cellules de mémoire de la mémoireinscriptible rémanente est/sont programmé(es) par une seule impulsion de programme. Les cellules de mémoire du bloc de cellules de mémoire présentant une tension de seuil dans une région intermédiaire (62) inférieure à un niveau de référence programmé (54) et supérieur à un niveau de référence d'effacement (50) sont identifiées. Ces cellules de mémoire identifiées sont programmées avec une ou plusieurs impulsions de programme afin d'élever la tension de seuil de la cellule correspondante jusqu'au niveau de référence programmé (52).
指定国: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (GH, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)