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1. (WO1997018630) PULSE GENERATING CIRCUITS USING DRIFT STEP RECOVERY DEVICES
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/1997/018630 国際出願番号: PCT/IB1996/001212
国際公開日: 22.05.1997 国際出願日: 12.11.1996
予備審査請求日: 16.06.1997
IPC:
H03K 3/33 (2006.01) ,H03K 3/57 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
3
電気的パルスの発生回路;単安定回路,双安定回路,多安定回路
02
パルスの発生に用いられる回路形式または手段によって特徴づけられた発生器
33
能動素子としてホール蓄積またはエンハンスメント効果を示す半導体装置のを用いるもの
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
3
電気的パルスの発生回路;単安定回路,双安定回路,多安定回路
02
パルスの発生に用いられる回路形式または手段によって特徴づけられた発生器
53
外部信号により制御されるスイッチング素子によって負荷を通して放電させられ,かつ正帰還が組みこまれていないエネルギ蓄積素子の使用によるもの
57
開閉装置が半導体装置であるもの
出願人:
KARDO-SYSSOEV, Alexei, F. [RU/RU]; RU
EFANOV, Vladimir, M. [RU/RU]; RU
ZAZULIN, Sergey V. [RU/RU]; RU
TCHASHNIKOV, Igor G. [RU/RU]; RU
発明者:
KARDO-SYSSOEV, Alexei, F.; RU
EFANOV, Vladimir, M.; RU
ZAZULIN, Sergey V.; RU
TCHASHNIKOV, Igor G.; RU
代理人:
LONGANECKER, Stacey, J.; Roylance, Abrams, Berdo & Goodman, L.L.P. Suite 315 1225 Connecticut Avenue, N.W. Washington, DC 20036, US
優先権情報:
08/555,99315.11.1995US
発明の名称: (EN) PULSE GENERATING CIRCUITS USING DRIFT STEP RECOVERY DEVICES
(FR) CIRCUITS GENERATEURS D'IMPULSIONS UTILISANT DES DISPOSITIFS A GRADIENT D'IMPURETES ET A COURT TEMPS DE RECOUVREMENT
要約:
(EN) A pulse generating circuit utilizes a drift step recovery transistor to apply power from a direct current power supply to a pulse forming network when a trigger pulse is applied thereto. The pulse forming network comprises a storage inductor connected in series with the transistor, a series connected separating diode and a drift step recovery diode which are connected in parallel with the storage inductor, a series connected pumping inductor and pumping resistor which together form a pumping circuit connected in parallel with respect to the separating diode, and a load resistor. Current passed via the transistor increases in the storage inductor and the pumping inductor and is blocked by the separating diode to inject electron-hole plasma from the pumping inductor into the drift step recovery diode when the transistor is conducting. The transistor blocks current at the end of the trigger pulse, and the storage inductor reverses polarity to bias the separating diode into a conducting state to extract the plasma from the drift step recovery diode. The drift step recovery diode blocks current after the plasma has been extracted to switch current from the storage inductor into the load resistor to generate a pulse.
(FR) Cette invention concerne un circuit générateur d'impulsions qui utilise un transistor à gradient d'impuretés et à court temps de recouvrement pour appliquer l'énergie d'un bloc d'alimentation en courant continu à un réseau conformateur d'impulsions lorsqu'une impulsion de déclenchement est appliquée à ce dernier. Le réseau conformateur d'impulsions comporte une bobine d'inductance de stockage montée en série avec ledit transistor, une diode de séparation montée en série et une diode à gradient d'impuretés et à court temps de recouvrement qui sont montées en parallèle avec l'inductance de stockage, une bobine d'inductance de pompage et une résistance de pompage montées en série qui, ensemble, constituent un circuit de pompage monté en parallèle par rapport à la diode de séparation, et enfin une résistance de charge. Le courant traversant le transistor augmente en intensité dans l'inductance de stockage et dans l'inductance de pompage et est bloqué par la diode de séparation de façon à injecter du plasma d'électrons et de trous en provenance de l'inductance de pompage en direction de la diode à gradient d'impuretés et à court temps de recouvrement lorsque le transistor est conducteur. Le transistor bloque le courant à la fin de l'impulsion de déclenchement, et l'inductance de stockage inverse sa polarité de façon à polariser la diode de séparation et à la faire passer dans un état conducteur dans le but d'extraire le plasma de la diode à gradient d'impuretés et à court temps de recouvrement. La diode à gradient d'impuretés et à court temps de recouvrement bloque le courant après que le plasma ait été extrait de façon à inverser le courant provenant de l'inductance de stockage pour le faire passer à l'intérieur de la résistance de charge de manière à générer une impulsion.
指定国: AL, AM, AT, AU, AZ, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)
Also published as:
AU1996073286