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1. (WO1991007012) HIGH SPEED COMPARATOR WITH OFFSET CANCELLATION
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/1991/007012 国際出願番号: PCT/US1990/005940
国際公開日: 16.05.1991 国際出願日: 16.10.1990
予備審査請求日: 23.04.1991
IPC:
H03K 3/356 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
3
電気的パルスの発生回路;単安定回路,双安定回路,多安定回路
02
パルスの発生に用いられる回路形式または手段によって特徴づけられた発生器
353
能動素子として内部または外部正帰還をもつ電界効果トランジスタを用いるもの
356
双安定回路
出願人:
VLSI TECHNOLOGY, INC. [--/US]; 1109 McKay Drive San Jose, CA 95131, US
発明者:
LIU, Edward, Wai, Yeung; US
代理人:
HSUE, James, S. ; Majestic, Parsons, Siebert & Hsue Four Embarcadero Center Suite 1450 San Francisco, CA 94111-4121, US
優先権情報:
429,58531.10.1989US
発明の名称: (EN) HIGH SPEED COMPARATOR WITH OFFSET CANCELLATION
(FR) COMPARATEUR RAPIDE A ANNULATION DE DECALAGE
要約:
(EN) A regenerative latch (51) includes a fully differential amplifier (52-58) with two inputs and two outputs and two positive feedback paths, each path coupling each of the two outputs to one of the two inputs through a capacitor (82, 84). Hence, during the reset phase, the two capacitors will block all DC voltages thereby enabling offset cancellation of the amplifier. During the regeneration phase, the two positive feedback paths drive the amplifier (52-58) quickly into saturation. The output of the regenerative latch may be used to drive a second stage latch (52) to reduce metastability and to reduce the gain requirements for the latch. The transistor channels of the input transistors (110a, 112a) of the second stage latch are reverse biased into depletion regions to reduce the input capacitance of the second latch (52) during reset. Such low input capacitance speeds up the regeneration of the first stage latch (51).
(FR) Une bascule (51) à régénération comprend un amplificateur (52 à 58) totalement différentiel doté de deux entrées et de deux sorties, ainsi que de deux chemins de réaction positifs, chaque chemin couplant chacune des deux sorties à une des deux entrées par l'intermédiaire d'un condensateur (82, 84). Par conséquent, pendant la phase de remise à l'état initial, les deux condensateurs bloquent toutes les tensions de courant continu, permettant ainsi une annulation du décalage de l'amplificateur. Pendant la phase de réggénération, les deux chemins de réaction positifs excitent l'amplificateur (52 à 58) parvenant rapidement à saturation. La sortie de la bascule à régénération peut être utilisée afin d'exciter une bascule (52) de second étage, afin de réduire la métastabilité et de réduire les exigences de gain de la bascule. Les canaux de transistors des transistors d'entrée (110a, 112a) de la bascule du second étage, sont polarisés de manière inverse jusque dans des régions d'épuisement, afin de réduire la capacité d'entrée de la seconde bascule (52) pendant la remise à l'état initial. Ladite faible capacité d'entrée accélère la régénération de la bascule (51) du premier étage.
指定国: JP, KR
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)
また、:
EP0500588