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1. US20130263774 - Seed material for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide, and method for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon

官庁
アメリカ合衆国
出願番号 13996071
出願日 29.06.2011
公開番号 20130263774
公開日 10.10.2013
特許番号 09447517
特許付与日 20.09.2016
公報種別 B2
IPC
C30B 19/12
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
19液相エピタキシャル成長
12基板によって特徴づけられたもの
C30B 29/36
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
36炭化物
C30B 28/12
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
28特定構造を有する均質多結晶物質の製造
12気相から直接に
CPC
C30B 19/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
19Liquid-phase epitaxial-layer growth
12characterised by the substrate
C30B 28/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
28Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
12directly from the gas state
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
Y10T 428/26
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
428Stock material or miscellaneous articles
26Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
出願人 Satoshi Torimi
TOYO TANSO CO., LTD.
Satoru Nogami
Tsuyoshi Matsumoto
発明者 Satoshi Torimi
Satoru Nogami
Tsuyoshi Matsumoto
代理人 Keating and Bennett, LLP
優先権情報 2010288476 24.12.2010 JP
発明の名称
(EN) Seed material for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide, and method for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon
要約
(EN)

Provided is an inexpensive seed material for liquid phase epitaxial growth of silicon carbide. A seed material 12 for liquid phase epitaxial growth of a monocrystalline silicon carbide includes a surface layer containing a polycrystalline silicon carbide with a 3C crystal polymorph. Upon Raman spectroscopic analysis of the surface layer with an excitation wavelength of 532 nm, a peak other than a TO peak and an LO peak is observed as a peak derived from the polycrystalline silicon carbide with a 3C crystal polymorph.