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1. (US20130134540) Solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

官庁 : アメリカ合衆国
出願番号: 13809522 出願日: 08.07.2011
公開番号: 20130134540 公開日: 30.05.2013
特許番号: 08710608 特許付与日: 29.04.2014
公報種別: B2
(国内移行後) 元 PCT 国際出願 出願番号:PCTJP2011065733 ; 公開番号: クリックしてデータを表示
IPC:
H01L 31/0232
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0232
装置と結合した光学素子または光学装置
CPC:
H01L 27/1462
H01L 27/14621
H01L 27/14623
H01L 27/14627
H01L 27/1464
H01L 27/14685
H01L 31/02327
出願人: Maeda Kensaku
Sony Corporation
Matsugai Hiroyasu
Moriya Yusuke
発明者: Maeda Kensaku
Matsugai Hiroyasu
Moriya Yusuke
代理人: Rader, Fishman & Grauer PLLC
優先権情報: 2010-161083 15.07.2010 JP
発明の名称: (EN) Solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus
要約: front page image
(EN)

The present invention relates to a solid-state imaging device having good focusing properties, a method for manufacturing such a solid-state imaging device, and an electronic apparatus. The solid-state imaging device has a semiconductor substrate 11 and a photoelectric conversion part formed in the semiconductor substrate 11. In the solid-state imaging device, a laminate including an organic material layer and an inorganic material layer is formed on the semiconductor substrate with at least one stress relaxation layer 22 interposed between the organic and inorganic material layers. This technology is applicable to, for example, solid-state imaging devices having pixels and microlenses placed thereon.


Also published as:
EP2595189CN103098213US20140210032KR1020130090396EP3232472CN107425023
CN107425024KR1020180026805KR1020190047119WO/2012/008387