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1. US20130112973 - Precursor composition and method for forming amorphous conductive oxide film

官庁
アメリカ合衆国
出願番号 13809993
出願日 08.07.2011
公開番号 20130112973
公開日 09.05.2013
特許番号 09178022
特許付与日 03.11.2015
公報種別 B2
IPC
H01L 29/22
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
02半導体本体
12構成材料に特徴のあるもの
22ドーピング材料または他の不純物は別にして,A↓I↓IB↓V↓I化合物のみを含むもの
C01G 55/00
C化学;冶金
01無機化学
GサブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
55ルテニウム,ロジウム,パラジウム,オスミウム,イリジウムまたは白金の化合物
H01B 1/08
H電気
01基本的電気素子
Bケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
1導電材料によって特徴づけられる導体または導電物体;導体としての材料の選択
06主として他の非金属物質からなるもの
08酸化物
H01L 29/49
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
40電極
43構成材料に特徴のあるもの
49金属-絶縁半導体電極
H01L 29/786
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 21/02
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
CPC
H01L 29/2206
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
22including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds
2206Amorphous materials
C01G 55/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
55Compounds of ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, or platinum
C01G 55/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
55Compounds of ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, or platinum
002Compounds containing, besides ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, or platinum, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
C01P 2002/72
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
70defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
72by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
C01P 2006/40
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2006Physical properties of inorganic compounds
40Electric properties
H01B 1/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
1Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
06mainly consisting of other non-metallic substances
08oxides
出願人 Tatsuya Shimoda
JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
Jinwang Li
発明者 Tatsuya Shimoda
Jinwang Li
代理人 Oblon, McClelland, Maier & Neustadt, L.L.P.
優先権情報 2010-159475 14.07.2010 JP
発明の名称
(EN) Precursor composition and method for forming amorphous conductive oxide film
要約
(EN)

The present invention provides a precursor composition for forming a conductive oxide film having high conductivity and a stable amorphous structure maintained even after heated at high temperature by a simple liquid phase process. The precursor composition of the present invention contains at least one selected from the group consisting of carboxylates, nitrates and sulfates of lanthanoids (but, except for cerium); at least one selected from the group consisting of carboxylates, nitrosyl carboxylates, nitrosyl nitrates and nitrosyl sulfates of ruthenium, iridium or rhodium; and a solvent containing at least one selected from the group consisting of carboxylic acids, alcohols and ketones.