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1. (US20090140255) Crystalline semiconductor film and method for manufacturing the same

官庁 : アメリカ合衆国
出願番号: 11663281 出願日: 21.06.2005
公開番号: 20090140255 公開日: 04.06.2009
特許番号: 7843010 特許付与日: 30.11.2010
公報種別: B2
PCT 関連事項: 出願番号:JP05011372 ; 公開番号: クリックしてデータを表示
IPC:
H01L 23/62
H01L 21/30
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
58
他に分類されない半導体装置用構造的電気的装置
62
過電流または過負荷からの保護,例.ヒューズ,分路
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
出願人: Sharp Kabushiki Kaisha
発明者: Kimura Tomohiro
Yasumatsu Takuto
代理人: Nixon &; Vanderhye P.C.
優先権情報: 2004288830 30.09.2004 JP
発明の名称: (EN) Crystalline semiconductor film and method for manufacturing the same
要約: front page image
(EN)

An island of a crystalline semiconductor according to the present invention has an upper surface and a sloped side surface, which are joined together with a curved surface. Crystal grains in a body portion of the island, including the upper surface, and crystal grains in an edge portion of the island, including the sloped side surface, both have average grain sizes that are greater than 0.2 μm.


また、:
JPWO2006038351WO/2006/038351