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1. US20080106354 - Boundary acoustic wave device and method for manufacturing boundary acoustic wave device

官庁
アメリカ合衆国
出願番号 11970079
出願日 07.01.2008
公開番号 20080106354
公開日 08.05.2008
特許番号 7522020
特許付与日 21.04.2009
公報種別 B2
IPC
H03H 9/00
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
H03H 9/15
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
15圧電または電わい材料からなる共振器の構造上の特徴
H03H 9/125
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
02細部
125駆動手段,例.電極,コイル
H03H 9/13
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
02細部
125駆動手段,例.電極,コイル
13圧電または電わい材料からなる回路網のためのもの
H03H 9/54
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
46濾波器
54圧電または電わい材料からなる共振器を含むもの
CPC
H03H 9/0222
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
0222of interface-acoustic, boundary, pseudo-acoustic or Stonely wave devices
H03H 9/02228
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02228Guided bulk acoustic wave devices or Lamb wave devices having interdigital transducers situated in parallel planes on either side of a piezoelectric layer
出願人 Murata Manufacturing Co., Ltd.
発明者 Kando Hajime
代理人 Keating &; Bennett, LLP
優先権情報 2005205608 14.07.2005 JP
発明の名称
(EN) Boundary acoustic wave device and method for manufacturing boundary acoustic wave device
要約
(EN)

A boundary acoustic wave device has a small thickness, which is suitable for thin apparatuses, and can be manufactured at low cost. The boundary acoustic wave device includes a first IDT electrode disposed on a first surface of a substrate, a first insulating film covering the first IDT electrode, a second IDT electrode disposed on a second surface of the substrate, and a second insulating film covering the second IDT electrode. Either the substrate or the first and second insulating films have piezoelectric characteristics.


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